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標(biāo)簽 > 電磁干擾

電磁干擾

+關(guān)注36人關(guān)注

電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)是干擾電纜信號(hào)并降低信號(hào)完好性的電子噪音,EMI通常由電磁輻射發(fā)生源如馬達(dá)和機(jī)器產(chǎn)生。電磁干擾是人們?cè)缇桶l(fā)現(xiàn)的電磁現(xiàn)象,它幾乎和電磁效應(yīng)的現(xiàn)象同時(shí)被發(fā)現(xiàn),1981年英國(guó)科學(xué)家發(fā)表“論干擾”的文章,標(biāo)志著研究干擾問(wèn)題的開始。

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電磁干擾技術(shù)

LMR60410 36V 1A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有低 Iq 和高效率數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMR60410 36V 1A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有低 Iq 和高效率數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-05-28 標(biāo)簽:分壓器emi輸出電壓 450 0

LMR60420 36V、2A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有低 Iq 和高效率數(shù)據(jù)手冊(cè)

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使用SSCTrack函數(shù)解調(diào)串行數(shù)據(jù)擴(kuò)頻時(shí)鐘信號(hào)

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器件和系統(tǒng)時(shí)鐘通常以固定頻率運(yùn)行,這可能會(huì)導(dǎo)致在時(shí)鐘頻率處產(chǎn)生電磁干擾,進(jìn)而引發(fā)串?dāng)_并耦合至鄰近信號(hào)路徑。

2025-05-22 標(biāo)簽:頻率電磁干擾函數(shù) 706 0

TPSF12C1 用于單相系統(tǒng)的共模有源 EMI 濾波器 (AEF)數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPSF12C1 是一款有源濾波器 IC,旨在降低單相交流電源系統(tǒng)中的共模 (CM) 電磁干擾 (EMI)。 配置有電壓感應(yīng)和電流注入 (VSCI...

2025-05-06 標(biāo)簽:電容器emi元件 1.1k 0

MCP6006U具有EMI濾波功能的1MHz運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)

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微芯科技(Microchip Technology Inc.)的MCP6006/6R/6U/7/9運(yùn)算放大器采用單電源供電,電壓低至1.8V,同時(shí)具有低...

2025-04-17 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器電磁干擾 674 0

分立器件在GaN充電器中的應(yīng)用

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隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及,充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過(guò)工程師在設(shè)計(jì)GaN充電器時(shí),卻面臨一些棘手挑戰(zhàn): 在高頻狀態(tài)下,電磁...

2025-04-15 標(biāo)簽:充電器電磁干擾氮化鎵 796 0

5V2.4A充電器IC U6773V的簡(jiǎn)單介紹

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如何通過(guò)濾波器的優(yōu)化來(lái)滿足嚴(yán)格的電磁兼容性(EMC)標(biāo)準(zhǔn)?

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2025-03-08 標(biāo)簽:濾波器emc電磁干擾 856 0

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Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在開關(guān)瞬態(tài)期間,其漏源電壓Vds的變化率,即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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