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標簽 > 石墨烯
石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以sp2雜化方式形成的蜂窩狀平面薄膜,是一種只有一個原子層厚度的準二維材料,所以又叫做單原子層石墨。英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫,用微機械剝離法成功從石墨中分離出石墨烯,因此共同獲得2010年諾貝爾物理學獎。
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隨著移動端游戲的快速發(fā)展,越來越多的大型3D手機游戲受到用戶的青睞。而對于手機廠商來說除了要為手機配備性能強大的處理器外,還要考慮到產(chǎn)品的散熱問題,避免...
2019-01-01 標簽:華為石墨烯散熱系統(tǒng) 9.4k 0
二維結構始于石墨烯(graphene)的發(fā)現(xiàn),石墨烯全是碳原子,也是六角形蜂巢結構。石墨(graphite)則是三維材料,以前常用的鉛筆芯就是石墨。
現(xiàn)在MIT的工程師們成功地找到了一種大規(guī)模合成這種細胞機器人的方法,通過可控石墨烯分裂過程來制備。
據(jù)悉,南京工業(yè)大學材料化學工程國家重點實驗室、化工學院陳蘇教授團隊從設計多孔結構材料入手,利用微流體紡絲機均勻成絲、大面積制備纖維為導向,以納米碳量子點...
石墨烯具有硅所不具備的更優(yōu)良的力學、化學和電學性能。不過這些優(yōu)勢真的是電子工業(yè)所需要的嗎?
由于石墨烯的發(fā)現(xiàn),研究人員在2010年獲得諾貝爾物理學獎。我們何時能看到世界上最新穎的材料所生產(chǎn)的產(chǎn)品呢?這篇文章或許能給大家撥開迷霧。
據(jù)麥姆斯咨詢報道,NanoGraM項目重點研究三類器件:石墨烯麥克風、石墨烯膜壓力傳感器和石墨烯膜霍爾傳感器。
在高遷移率的GaAs量子阱上實現(xiàn)了低無序半導體AG
研究人員制備出了小周期三角形的反點晶格,用以顯著抑制加工擾動對電子的影響,從而在所生長的QWs上保持了高質(zhì)量狀態(tài)。這一成就使觀察到受交換庫侖相互作用的集...
“我認為這個時代將來最大的顛覆,是石墨烯時代顛覆硅時代,但是顛覆需要有繼承性發(fā)展,在硅時代的成功佼佼者最有希望成為石墨烯時代中的佼佼者。邊沿機會還是硅時...
基于石墨烯空氣陰極的千瓦級鋁空氣電池發(fā)電系統(tǒng)
這類電池理論上的正極活性物質(zhì)的量是無限的,所以電池理論容量主要取決于負極金屬的量,這類電池擁有更大的比容量。 作為一種特殊的燃料電池,鋁-空氣電池在軍事...
2017年6月,中科院半導體研究所開發(fā)了一種可直接貼附在人體表面的超薄高像素柔性電子皮膚陣列。該團隊設計的傳感器對環(huán)境壓力展現(xiàn)出超高的靈敏度,設計的微米...
挑戰(zhàn)遠不止石墨烯:隨著半導體公司尋求識別并利用下一波創(chuàng)新成果,高管們必須采取不同的方式。要理解看似完全不同的開發(fā)材料如何能夠創(chuàng)建新的業(yè)務模型和應用程序,...
基于石墨烯的神經(jīng)突觸可用于人工神經(jīng)網(wǎng)絡
美國匹茲堡大學的科研人員研制出一種基于石墨烯的神經(jīng)突觸,可用于類似人類大腦的大規(guī)模人工神經(jīng)網(wǎng)絡。
2018-07-31 標簽:神經(jīng)網(wǎng)絡石墨烯 3.7k 0
全球石墨烯產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析_世界各國踴躍布局石墨烯產(chǎn)業(yè)
作為新材料領域的新星,石墨烯具有超薄、超輕、超高強度、超強導電性、優(yōu)異的導熱性、比表面積大、透光性好、結構穩(wěn)定等特性,可以廣泛地應用在新能源、電子信息、...
2018-07-19 標簽:石墨烯石墨烯產(chǎn)業(yè) 5.3k 0
該團隊在收錄于Nano Letters期刊的文章中還提到,他們發(fā)現(xiàn)變化的電壓不僅影響了石墨烯放射紅外線的能力,還改變了其反射光線的能力。比如,當被放置于...
長期的研究目標是實現(xiàn)低于50W-mm的金屬-石墨烯接觸電阻,以實現(xiàn)高頻晶體管
大多數(shù)以前的研究人員都是嘗試通過提高載流子密度來獲得低接觸電阻的。在狄拉克點具有低接觸電阻的GFET有許多優(yōu)點。某些物理現(xiàn)象在狄拉克點附近有效,這使得輸...
除石墨烯外,還有許多其他的二維晶體,每一種都具有其獨特的性質(zhì)。有幾種能天然地存在于地下的寶石中,例如工業(yè)中的一種重要潤滑劑——二硫化鉬。其他的二維晶體可...
近日,美國萊斯大學的科學家們開發(fā)出一種由石墨烯泡沫制造三維導電物體的簡單方法,為能量存儲和柔性電子傳感器等應用帶來了新的可能性。
但如果是小于能帶隙能量的光源時,電子無法穿過能帶隙到達傳導帶,也就是說光源無法被吸收直接會穿透。所以肉眼看見是透明的。一般來說能隙帶比3.26eV大的物...
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