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標(biāo)簽 > 硅芯片
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在摩爾定律持續(xù)放緩、新型計(jì)算平臺(tái)卻要求更高性能的大背景下,電子IC發(fā)展進(jìn)入瓶頸期,光子IC (PIC)逐漸興起。
離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用
在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 標(biāo)簽:CMOSMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.3k 0
專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)流程包括 專(zhuān)用集成電路的特點(diǎn)包括
專(zhuān)用集成電路(ASIC)設(shè)計(jì)流程是指將特定應(yīng)用需求轉(zhuǎn)化為硅芯片的過(guò)程。下面將詳細(xì)介紹ASIC設(shè)計(jì)流程,并進(jìn)一步探討ASIC的特點(diǎn)。 一、ASIC設(shè)計(jì)流程...
2024-05-04 標(biāo)簽:邏輯電路ASIC設(shè)計(jì)硅芯片 1.2k 0
1. 集成放大電路的基本概念 集成放大電路是一種使用集成電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)的放大器,它將傳統(tǒng)的分立元件(如晶體管、電阻、電容等)集成在一個(gè)小型的硅芯片上。這種...
設(shè)計(jì)低能耗嵌入式系統(tǒng)第一部分硅芯片選擇
低能耗待機(jī)狀態(tài)使MCU看上去具有超高能效,但事實(shí)是,只有考慮了控制工作模式功耗的所有因素后才能決定MCU的能效狀況。
2015-07-22 標(biāo)簽:硅芯片 1.1k 0
關(guān)于DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)的“虛假謊言
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配,可以說(shuō)晶體管的小型化已經(jīng)...
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