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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC對(duì)電力電子的挑戰(zhàn) 碳化硅組件的制造過程

由于SiC具有高導(dǎo)熱性，因此它比其他半導(dǎo)體材料更快地散發(fā)熱量。因此，SiC器件可以在極高的功率水平下運(yùn)行，并且仍然可以散發(fā)器件產(chǎn)生的大量多余熱量。

2021-05-13 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 3k 0

碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)

一個(gè)關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS（on）。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來比SiC更好，但由于其較低的倍增系數(shù)（κ），在100℃時(shí)，一個(gè)84mΩ的Coo...

2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源碳化硅 3k 0

關(guān)于碳化硅你了解多少

碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關(guān)系，表明它們?cè)谀承┓矫婢哂蓄愃频男再|(zhì)。

2023-02-02 標(biāo)簽：SiC 金剛石碳化硅 3k 0

碳化硅技術(shù)在電源逆變器上的應(yīng)用！

碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料之一，具有獨(dú)特的材料性能。例如，它具有高電擊穿強(qiáng)度(硅的十倍)和導(dǎo)熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

2022-11-17 標(biāo)簽：SiC 電源逆變器碳化硅 3k 0

小編科普一下碳化硅的理化性質(zhì)

碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...

2023-02-12 標(biāo)簽：SiC 碳化硅電熱元件 3k 0

什么是800V高壓架構(gòu)？800V高壓架構(gòu)的多種方案

越來越多的車企向800V高壓平臺(tái)進(jìn)軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么？它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”？400V和800V的電動(dòng)車在用車體驗(yàn)上...

2024-01-06 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 3k 0

碳化硅與氮化鎵哪種材料更好

引言碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛...

2024-09-02 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 3k 0

鋁碳化硅復(fù)合材料時(shí)候什么生產(chǎn)制備方法

　　鋁碳化硅復(fù)合材料是一種由鋁、碳和硅組成的復(fù)合材料，具有良好的力學(xué)性能、耐腐蝕性和耐熱性，可用于制造航空航天、汽車、電子、化工等行業(yè)的零部件。

2023-02-16 標(biāo)簽：控制器交換器碳化硅 3k 0

碳化硅MOSFET對(duì)比硅IGBT的優(yōu)勢(shì)

　　開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 開關(guān)器件 3k 0

如何實(shí)現(xiàn)一種7.5kW電動(dòng)汽車碳化硅逆變器的設(shè)計(jì)呢？

第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級(jí)、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn)，能顯著提高電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器散熱器 3k 0

基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

交流充電樁：本質(zhì)是一個(gè)帶控制的插座，主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，需要車載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET 充電樁碳化硅 2.9k 0

高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標(biāo)簽：電源整流器德州儀器 2.9k 0

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體仿真 2.9k 0

芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測(cè)試

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用，具有眾多自身優(yōu)勢(shì)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣泛，越來越無法離開，因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程...

2023-08-18 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體可靠性測(cè)試 2.9k 0

SiC和Si的應(yīng)用各種SiC功率器件的特性

碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，...

2023-04-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅 2.9k 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù)，人們對(duì)降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度，使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET JFET 功率器件 2.9k 0

意法半導(dǎo)體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。

2023-03-14 標(biāo)簽：MOSFET 特斯拉 SiC 2.9k 0

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯...

2024-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 2.9k 0

一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標(biāo)簽：IGBT 功率模塊碳化硅 2.9k 0

使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

金屬污染物，如碳化硅表面的銅，不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后，在碳化硅表面沒有形成化學(xué)氧化物，這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對(duì)金...

2022-09-08 標(biāo)簽：清洗 RCA 碳化硅 2.9k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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