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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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數(shù)明半導體SiLM27531H柵極驅動器在碳化硅器件中的應用
碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關性能優(yōu)勢,在許多大功率應用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅動電路有較高要求,以優(yōu)化碳化硅器件的開關性能。盡管碳化硅...
2025-09-03 標簽:柵極驅動器碳化硅數(shù)明半導體 4.1k 0
【新啟航】便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設備的性能與適用場景
摘要 本文圍繞便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設備,深入分析其測量精度、速度、便攜性等性能指標,并結合半導體生產(chǎn)車間、科研實驗室、現(xiàn)場檢測等場景,探討...
浮思特 | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊
大家可能經(jīng)常聽到這樣一句話:“碳化硅(SiC)正在改變電力電子行業(yè)。”那么,為什么一塊小小的半導體器件,能讓電動車跑得更遠,光伏逆變器更高效,甚至讓充電...
2025-08-29 標簽:SiC碳化硅SiC MOSFET 340 0
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量的特殊采樣策略
摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量需求,分析常規(guī)采樣策略的局限性,從不均勻性特征分析、采樣點布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略...
如何利用 AI 算法優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理
摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié),針對傳統(tǒng)方法的局限性,探討 AI 算法在數(shù)據(jù)降噪、誤差校正、特征提取等方面的應用,為提升數(shù)據(jù)處理...
探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準確性與效率,為半導體制造過程中...
【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧
摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準確性與效率,為半導體制造...
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙度對結果的影響研究
摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程,深入探究表面粗糙度對測量結果的影響機制,通過理論分析與實驗驗證,揭示表面粗糙度與測量誤差的關聯(lián),為優(yōu)化碳...
傾佳電子:DAB隔離變換器深度分析:優(yōu)勢、器件選型與碳化硅MOSFET的應用
傾佳電子:DAB隔離變換器深度分析:優(yōu)勢、器件選型與碳化硅MOSFET的應用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接...
【新啟航】國產(chǎn) VS 進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的性價比分析
本文通過對比國產(chǎn)與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異,深入分析兩者的性價比,旨在為半導體制造企業(yè)及科研機構選購測量設備...
碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程
摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問題,系統(tǒng)分析異常類型與成因,構建科學高效的快速診斷流程,并提出針對性處理方法,旨在提升數(shù)據(jù)異...
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