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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù),但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTSiC 1.6k 0

如何采用碳化硅設(shè)計(jì)高效可再生能源系統(tǒng)呢?

太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代化,以提高其韌性,滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。

2023-09-11 標(biāo)簽:二極管MOSFETPCB布局 441 0

晶圓靜電吸附(ESC)詳解

晶圓靜電吸附(ESC)詳解

什么是真空吸盤? 晶圓真空吸盤通常由堅(jiān)硬的表面構(gòu)成,表面上有許多小孔或通道。通過這些小孔,吸盤可以與真空泵連接,從而產(chǎn)生真空效應(yīng)。

2023-09-08 標(biāo)簽:晶圓溫度控制芯片封裝 5.8k 0

碳化硅(SiC)相較于硅(Si)有哪些優(yōu)勢(shì)!

碳化硅(SiC)相較于硅(Si)有哪些優(yōu)勢(shì)!

硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了臨界點(diǎn),即無可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)一項(xiàng)技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。

2023-09-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 2.6k 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展階段

作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一,半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天,從人工智能到生物醫(yī)學(xué),半導(dǎo)體無處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。

2023-09-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 1.9k 0

碳化硅設(shè)計(jì)創(chuàng)新以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型

碳化硅設(shè)計(jì)創(chuàng)新以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型

推動(dòng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)發(fā)展的綠色意識(shí)和法規(guī)推動(dòng)了電池技術(shù)和基于碳化硅的設(shè)計(jì)的創(chuàng)新,以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。

2023-09-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車太陽能電池電池充電器 554 0

基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效,...

2023-09-06 標(biāo)簽:MOSFET太陽能逆變器 869 0

碳化硅功率半導(dǎo)體工藝流程

首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...

2023-09-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1.8k 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢(shì)是什么?碳化硅的實(shí)際應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

SiC相較于Si的優(yōu)勢(shì)是什么?碳化硅的實(shí)際應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

如今,大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅(Si)為基材料,但近年來,一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應(yīng)用于M...

2023-09-05 標(biāo)簽:二極管太陽能半導(dǎo)體 2.2k 0

山大與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面的突破

山大與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面的突破

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料, 具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強(qiáng)化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性

2023-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1.4k 0

一種基于實(shí)際頻率測(cè)量的多頻方法來構(gòu)建復(fù)頻率光波

一種基于實(shí)際頻率測(cè)量的多頻方法來構(gòu)建復(fù)頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的,并在亞衍射尺度上,實(shí)現(xiàn)特征成像。

2023-08-31 標(biāo)簽:傳感器衰減器SiC 1.5k 0

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...

2023-08-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET半導(dǎo)體 887 0

使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車(EV)車載充電機(jī)(OBC)可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式,充電功率從電動(dòng)機(jī)車等應(yīng)用中的不到2kW,到高端電動(dòng)汽車中的22kW不等。傳統(tǒng)上,...

2023-08-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1.8k 0

怎樣通過并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢?

怎樣通過并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢?

為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件,開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。

2023-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電阻器電源電路 970 0

碳化硅VJFET的動(dòng)態(tài)電路模型設(shè)計(jì)

碳化硅VJFET的動(dòng)態(tài)電路模型設(shè)計(jì)

在電子儀器行業(yè)中,寬帶隙半導(dǎo)體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅(SiC)半導(dǎo)體是市場(chǎng)上最先進(jìn)的半導(dǎo)體之一。

2023-08-29 標(biāo)簽:電容器SCRVHDL語言 1.4k 0

B2M碳化硅MOSFET在LLC、移相全橋型電源應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

B2M碳化硅MOSFET在LLC、移相全橋型電源應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-08-29 標(biāo)簽:MOSFETLLC碳化硅 1.8k 0

影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些?

影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些?

碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。

2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1.9k 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問題

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度(更短的切換時(shí)間),較低的損耗,更高的開關(guān)頻率,更高的耐壓能力以及更好的溫度特性,相應(yīng)地帶來效率的替身,系統(tǒng)磁性元器件減小,功率...

2023-08-27 標(biāo)簽:二極管IGBTSiC 5.7k 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎?

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎?

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管體二極管 934 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFET電阻器IGBT 1.7k 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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