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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

+關(guān)注25人關(guān)注

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

文章:2675個(gè) 瀏覽:51451 帖子:38個(gè)

碳化硅技術(shù)

借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間

借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間

相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標(biāo)簽:IGBT晶體管SiC 929 0

超共源共柵簡(jiǎn)史

超共源共柵簡(jiǎn)史

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭...

2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 564 0

使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)

使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)

了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件...

2023-05-20 標(biāo)簽:電源MOSFET碳化硅 2.3k 0

使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)底板封裝的碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)升級(jí)

使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)底板封裝的碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)升級(jí)

本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無(wú)碳化硅無(wú)基板功率模塊,并展示了這種多功能且可擴(kuò)展的模塊方法如何實(shí)現(xiàn)當(dāng)前硅 (Si) 設(shè)計(jì)的...

2023-05-20 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.3k 0

有效測(cè)量碳化硅信號(hào)

有效測(cè)量碳化硅信號(hào)

SiC器件市場(chǎng)涵蓋廣泛的功率和應(yīng)用(電動(dòng)汽車充電,太陽(yáng)能和風(fēng)能等能量收集,電源逆變器,工業(yè)電源,數(shù)據(jù)中心)。在低端 (1–50 kW),分立式 MOSF...

2023-05-20 標(biāo)簽:晶體管SiC碳化硅 1.3k 0

中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場(chǎng)合”

中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場(chǎng)合”

經(jīng)過(guò) 30 多年的碳化硅(SiC)研發(fā),我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊,涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅(S...

2023-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管碳化硅 2k 0

SiC模塊開(kāi)啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

SiC模塊開(kāi)啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車(EV)幾乎所有能量的消耗源。因此,驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率,同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。

2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.5k 0

SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無(wú)論是前道工藝還是后道工藝,半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。

2023-05-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC半導(dǎo)體器件 1.1k 0

碳化硅將綠色替代品帶入良性循環(huán)

太陽(yáng)能架構(gòu)通常分為三種配置。在住宅層面,微型逆變器支持1-4個(gè)面板塊。組串式逆變器將面板集群從幾千瓦聚合到大約 50 kW。從 50 kW 到 200 ...

2023-05-19 標(biāo)簽:太陽(yáng)能逆變器碳化硅 1.1k 0

企業(yè)數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施中碳化硅的使用使氣候和商業(yè)受益

碳化硅是一種復(fù)雜的材料,需要太陽(yáng)溫度一半的受控環(huán)境和高度專業(yè)化的晶體結(jié)構(gòu)。它是人類已知的第二硬材料,在200+種可能的晶體形成中,只有一種可以用來(lái)制造半...

2023-05-19 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 748 0

Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對(duì)供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對(duì)供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

碳化硅(SiC)長(zhǎng)期以來(lái)一直被稱為功率器件的理想半導(dǎo)體技術(shù),通過(guò)設(shè)計(jì)和制造創(chuàng)新,通過(guò)提供更高的功率密度,更好的高速開(kāi)關(guān)性能,更高的擊穿場(chǎng),更高的導(dǎo)熱性,...

2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車晶圓碳化硅 1.9k 0

除了氮化鎵,快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更...

2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.1k 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

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SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽:MOSFETMOS管SiC 7.7k 0

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡(jiǎn)稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國(guó)外機(jī)構(gòu)已具備了...

2023-05-18 標(biāo)簽:纖維SiC復(fù)合材料 4.6k 0

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅的RDS(ON)較低,因而開(kāi)關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電...

2023-05-18 標(biāo)簽:電源模塊肖特基二極管充電樁 786 0

基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)

基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二...

2023-05-18 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器分立器件碳化硅 647 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-18 標(biāo)簽:電阻MOSFET晶體管 507 0

SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

碳化硅單晶襯底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下簡(jiǎn)稱SiC襯底)也是晶體材...

2023-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體射頻單晶 3.7k 0

激光與碳化硅相互作用的機(jī)理及應(yīng)用

激光與碳化硅相互作用的機(jī)理及應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理,并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光晶圓 3k 0

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

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光耦的主要作用是電氣絕緣和信號(hào)隔離,優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離,抗干擾能力強(qiáng),使用壽命長(zhǎng),傳輸效率高。

2023-05-17 標(biāo)簽:光耦功率器件碳化硅 1k 0

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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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