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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)
工程師對(duì)電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當(dāng)從基于硅的芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí),需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導(dǎo)體比寬帶隙(WBG...
基于無(wú)芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)器
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專有的微制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...
SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案
本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路,以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫??梢钥闯?,出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 6.6k 0
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專有的微制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...
SiC對(duì)電力電子的挑戰(zhàn) 碳化硅組件的制造過(guò)程
由于SiC具有高導(dǎo)熱性,因此它比其他半導(dǎo)體材料更快地散發(fā)熱量。因此,SiC器件可以在極高的功率水平下運(yùn)行,并且仍然可以散發(fā)器件產(chǎn)生的大量多余熱量。
C2000?實(shí)時(shí)微控制器 (MCU)應(yīng)對(duì)GaN 開(kāi)關(guān)挑戰(zhàn)
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動(dòng)汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動(dòng)...
2021-05-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車二極管IGBT 2.6k 0
基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系
電機(jī)是全球耗電大戶,盡管電壓很高,硅仍然是主流。不過(guò),GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場(chǎng)非常保守,適應(yīng)新技術(shù)的速度很...
隨著云計(jì)算的概念越來(lái)越流行,數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn),最終開(kāi)始以更快的速度增長(zhǎng)。它們已成為最大和最快的能源消耗來(lái)源,而 UPS(不間斷電源)...
2021-06-14 標(biāo)簽:整流器碳化硅SiC MOSFET 3.4k 0
碳化硅半導(dǎo)體 一、碳化硅材料的特性 SiC(碳化硅)是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比,SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶...
2021-06-15 標(biāo)簽:碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 1.1萬(wàn) 0
碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案
對(duì)于可再生能源設(shè)備,如太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備,我們的碳化硅器件具有極低的RDS(on)特性,可將散熱量保持在最低水平。
碳化硅二極管具有非??焖俚幕謴?fù)時(shí)間,這可提高開(kāi)關(guān)速率,并減小磁性元件和其它無(wú)源元件的尺寸,從而使最終產(chǎn)品具有更高的功率密度。
2021-01-06 標(biāo)簽:肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3.1k 0
一款雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方案解析
電池供電的便攜設(shè)備越來(lái)越多,在今日生活中扮演的角色也越來(lái)越重要。這個(gè)趨勢(shì)還取決于高能量?jī)?chǔ)存技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級(jí)電容器。 這些...
用于功率轉(zhuǎn)換器和逆變器的半橋配置中的硬切換是用于有效功率轉(zhuǎn)換的常用技術(shù),特別是在較高功率水平下。隨著碳化硅(SiC)技術(shù)使開(kāi)關(guān)速度提高,電源兩端短路導(dǎo)致...
碳化硅對(duì)比硅材料器件有哪些優(yōu)勢(shì)
碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代,目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開(kāi)發(fā)的主流。業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術(shù),有助于對(duì)抗全球氣候...
碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域
在航天電子產(chǎn)品中,電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要,有時(shí)甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)?..
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