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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2k 0

全方位解析碳化硅：應(yīng)用廣泛的高性能材料！

碳化硅（SiC），又稱碳硅石，是當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)了不可替代的...

2024-12-30 標(biāo)簽：材料 SiC 碳化硅 3.2k 0

安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)

隨著電動(dòng)汽車動(dòng)力總成和能源基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)碳化硅(SiC)功率器件需求的增加，加速了市場(chǎng)的增長(zhǎng)。在這一過程中，終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...

2024-12-26 標(biāo)簽：MOSFET 安森美碳化硅 896 0

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 2.6k 0

浮思特|如何通過設(shè)計(jì)SiC功率模塊優(yōu)化電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)熱管理效率?

提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率密度是提升電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 碳化硅 1k 0

碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測(cè)技術(shù)

碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢(shì)碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿...

2024-12-06 標(biāo)簽：MOSFET 檢測(cè)碳化硅 1.8k 0

SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標(biāo)簽：晶體管功率器件 SiC 1.7k 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。以碳化硅（SiC...

2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.3k 0

模塊封裝的關(guān)鍵工藝

區(qū)別于分立器件模塊的制造有一些特別的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如銀燒結(jié)、粗銅線鍵合、端子焊接等。

2024-12-04 標(biāo)簽：封裝分立器件碳化硅 1.1k 0

SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性

從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(EV)，它們...

2024-11-30 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 半導(dǎo)體 1.2k 0

基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊解析

隨著可再生能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性，在650...

2024-11-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅半橋模塊 1.1k 0

超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當(dāng)今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術(shù)作為一項(xiàng)重要的特種加工技術(shù)，引起了廣泛關(guān)注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領(lǐng)域備受矚目。在...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓脈沖激光碳化硅 1.2k 0

電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評(píng)估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 1.2k 0

車載充電器材料選擇比較

車載充電器 (OBC) 解決了電動(dòng)汽車 (EV) 的一個(gè)重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車充電。隨著每年上市的...

2024-11-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 IGBT 碳化硅 1.3k 0

晶圓封裝過程缺陷解析

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時(shí)封裝過程中的缺陷對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個(gè)方面進(jìn)行介紹。

2024-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 1.5k 0

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...

2024-10-30 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 816 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 2.6k 0

碳化硅生產(chǎn)難點(diǎn)是什么

第一代半導(dǎo)體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測(cè)器中，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用...

2024-10-16 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SiC 1.5k 0

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝技術(shù) 7.4k 0

基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅...

2024-10-16 標(biāo)簽：封裝 SiC 功率模塊 1.9k 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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