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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨特的優(yōu)勢,應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較: 氮化鎵(GaN)...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4.3k 0
引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 3k 0
“OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計指南”又上新了,第一篇文章介紹了系統(tǒng)用途、系統(tǒng)實施方法、系統(tǒng)說明、市場趨勢和標(biāo)準(zhǔn)等,本文將繼續(xù)介紹解決方案概述及拓?fù)洹?/p>
利用集成負(fù)偏壓來關(guān)斷柵極驅(qū)動在設(shè)計電動汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動器和泵等高功率應(yīng)用時,系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因為與 I...
SiC(碳化硅)器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛,其獨特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC器件...
碳化硅MOSFET的開關(guān)尖峰問題與TVS保護方案
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而,即使性能卓越,SiC MOSFET在開關(guān)過程中也可能面臨電壓尖...
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,集成功率模塊(IPM,IntegratedPowerModule)憑借其高集成度和優(yōu)良的性能,廣泛用于電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng),如電機驅(qū)動...
金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料,它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石 金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個...
1.碳化硅和晶體硅的熔點比較,碳化硅的熔點更高。 具體來說,碳化硅的熔點大于2700℃,并且其沸點高于3500℃。而晶體硅的熔點則為1410℃(也有資料...
以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使...
2024-08-08 標(biāo)簽:晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 4.3k 0
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率和...
了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵,這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運行,并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對每十億個部...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前,先探討了 Si...
碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性,SiC器件相比于同等...
基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用
隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性,成為了下一代車...
2024-07-18 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 1k 0
SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力
碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可,例如電動汽車(EV)牽引逆變器和車載充電器、快速電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機驅(qū)動器、光伏、儲能、固態(tài)變...
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