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聚焦離子束(FIB)技術(shù):芯片調(diào)試的利器
FIB技術(shù)在芯片調(diào)試中的關(guān)鍵應(yīng)用1.電路修改與修復(fù)在芯片設(shè)計(jì)和制造過程中,由于種種原因可能會出現(xiàn)設(shè)計(jì)錯(cuò)誤或制造缺陷。FIB技術(shù)能夠?qū)π酒娐愤M(jìn)行精細(xì)的修...
離子束技術(shù)在多領(lǐng)域的應(yīng)用探索
聚焦離子束技術(shù)(FIB)聚焦離子束技術(shù)(FocusedIonBeam,F(xiàn)IB)是一種高精度的微納加工手段,它通過加速并聚焦液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束,照...
雙束聚焦離子束-掃描電鏡(DualBeamFocusedIonBeam,FIB)作為一種先進(jìn)的微觀加工與分析技術(shù),廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、納米技術(shù)、半導(dǎo)體研...
聚焦離子束(FIB)技術(shù)在芯片逆向工程中的應(yīng)用
聚焦離子束(FIB)技術(shù)概覽聚焦離子束(FocusedIonBeam,F(xiàn)IB)技術(shù)在微觀尺度的研究和應(yīng)用中扮演著重要角色。這種技術(shù)以其超高精度和操作靈活...
美國進(jìn)口 KRi 考夫曼離子源 KDC 160 硅片刻蝕清潔案例
上海伯東美國 KRi 大尺寸考夫曼離子源 KDC 160 適用于 2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應(yīng)用, KRi KDC 160 是直流柵網(wǎng)離子源, 高輸出離...
聚焦離子束(FIB)技術(shù)的演變與應(yīng)用聚焦離子束(FIB)技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代科技領(lǐng)域中不可或缺的一部分,尤其是在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域。盡管FIB技術(shù)已經(jīng)...
聚焦離子束技術(shù)中液態(tài)鎵作為離子源的優(yōu)勢
聚焦離子束(FIB)在芯片制造中的應(yīng)用聚焦離子束(FIB)技術(shù)在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅能夠進(jìn)行精細(xì)的結(jié)構(gòu)切割和線路修改,還能用于...
離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)是將聚焦離子束(FIB)技術(shù)與掃描電子顯微鏡(SEM)技術(shù)有機(jī)結(jié)合的高端設(shè)備。什么是FIB-SEM?FIB-SEM...
聚焦離子束雙束系統(tǒng)在微機(jī)電系統(tǒng)失效分析中的應(yīng)用
聚焦離子束(FIB)技術(shù)概述聚焦離子束(FIB)技術(shù)是一種通過離子源產(chǎn)生的離子束,經(jīng)過過濾和靜電磁場聚焦,形成直徑為納米級的高能離子束。這種技術(shù)用于對樣...
FIB技術(shù)的核心價(jià)值聚焦離子束(FIB)技術(shù)是一種在微納尺度上實(shí)現(xiàn)材料精確加工的先進(jìn)技術(shù)。它通過將離子束聚焦到極高的精度,能夠?qū)Σ牧线M(jìn)行納米級的蝕刻和加...
氬離子拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法,該技術(shù)的核心原理是利用氬離子束對樣品表面進(jìn)行精細(xì)拋光,通過精確控制離子束的能量、角度和作用時(shí)間,實(shí)現(xiàn)對樣品...
聚焦離子束與掃描電鏡結(jié)合:雙束FIB-SEM切片應(yīng)用
聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束(FocusedIonBeam,簡稱FIB)技術(shù)作為一種前沿的納米級加工與分析手段,近年來在眾多領(lǐng)域嶄露頭角。它巧妙地融合了離子...
聚焦離子束雙束系統(tǒng) FIB - SEM 的技術(shù)剖析與應(yīng)用拓展
技術(shù)原理與核心優(yōu)勢聚焦離子束雙束系統(tǒng)(FIB-SEM)是一種集成多種先進(jìn)技術(shù)的高端設(shè)備,其核心構(gòu)成包括聚焦離子束(FIB)模塊、掃描電子顯微鏡(SEM)...
遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工,其中熱輔助離子束刻蝕(TAIBE)作為前沿技術(shù),尤其適用于碳氟化合物(FC)材料(如聚四氟乙烯PT...
EBSD技術(shù)的重要性電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)是材料科學(xué)中用于揭示材料微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具。它詳細(xì)描述了材料在凝固、塑性變形、相變以及斷裂等物理過程中...
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