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標(biāo)簽 > 第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。
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SiC和GaN加速上車!2029年第三代半導(dǎo)體全球規(guī)模如何?Yole專家揭秘
近日,在慕尼黑上海電子展的論壇上,Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向現(xiàn)場工程師和觀眾分享了全球碳化硅與氮化鎵市場最新發(fā)展...
2024-07-19 標(biāo)簽:SiCGaN第三代半導(dǎo)體 7.3k 0
光伏微逆、數(shù)據(jù)中心先行,GaN OBC也在加快進(jìn)度
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)去年12月,英飛凌公布了自己的OBC產(chǎn)品戰(zhàn)略路線,未來將采用SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體來提高OBC功率密度,其中GaN會(huì)...
2024-07-17 標(biāo)簽:光伏數(shù)據(jù)中心GaN 5k 0
在混合電源設(shè)計(jì)上,Si、SiC、GaN如何各司其職?
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年5月英飛凌公布了專為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的PSU(電源供應(yīng)單元)路線圖,在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上,...
降低數(shù)據(jù)中心能耗,第三代半導(dǎo)體義不容辭
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)AI技術(shù)在近年快速發(fā)展,應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛的同時(shí),也帶來了巨大的算力需求,數(shù)據(jù)中心建設(shè)規(guī)模不斷擴(kuò)大,算力芯片功率越來越高,...
2024-06-29 標(biāo)簽:第三代半導(dǎo)體 3.4k 0
實(shí)現(xiàn)電流和控制信號分離,羅姆新型SiC封裝模塊助力實(shí)現(xiàn)更小型的xEV逆變器
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)憑借高頻、高壓、高效、高耐溫和低損耗的產(chǎn)品特性,目前第三代半導(dǎo)體SiC(碳化硅)器件已經(jīng)成為各行業(yè)打造電氣化方案的首選,進(jìn)...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)GaN作為第三代半導(dǎo)體,已經(jīng)在消費(fèi)電子電源,充電器等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。GaN的高頻特性,能夠幫助縮小電源體積,同時(shí)提高轉(zhuǎn)換效率...
英諾賽科IPO!三年?duì)I收超7億累計(jì)虧損67億,開拓海外市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書,正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開招股書后,終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了...
大基金三期豪擲3440億!半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)誰能抓住機(jī)遇?
低迷的半導(dǎo)體市場迎來了一劑強(qiáng)心針。 日前,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司(以下簡稱“國家大基金三期”)注冊成立,注冊資本為3440億元,法定代...
2024-06-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 968 0
年復(fù)合增長率達(dá)32.6%!車載SiC和工業(yè)GaN前景暢旺,產(chǎn)業(yè)鏈廠商進(jìn)展如何
近日,第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體公布了最新的財(cái)報(bào),ST SiC領(lǐng)域2023年收入達(dá)到14億美元,計(jì)劃在2024年實(shí)現(xiàn)15億美元的收入,到2...
第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)
近日,在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會(huì)上,基本半導(dǎo)體憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn),榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)”?;景雽?dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...
2024-04-02 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.5k 0
AI的盡頭或是氮化鎵?2024年多家廠商氮化鎵產(chǎn)品亮相,1200V高壓沖進(jìn)市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)氮化鎵是最新的第三代半導(dǎo)體材料,最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成,2019年開啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。...
2024-03-28 標(biāo)簽:AI氮化鎵第三代半導(dǎo)體 4k 0
碳化硅功率器件的優(yōu)勢 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元
引言: 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護(hù)要求的日益提高,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無法滿足新時(shí)代對高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅(SiC)...
雙面散熱/高度集成/低EMI……德州儀器電源新品助力實(shí)現(xiàn)高功率密度方案設(shè)計(jì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)隨著終端智能化和電氣化水平不斷提升,方案設(shè)計(jì)除了要實(shí)現(xiàn)性能指標(biāo)之外,在空間和能效方面的挑戰(zhàn)也越來越大,因而高功率密度已經(jīng)成...
盛美上海2023年?duì)I收凈利雙增,在手訂單60多億,第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破
?電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)近日,國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭盛美上海率先一步,發(fā)布《2023年年度報(bào)告》。業(yè)績報(bào)告顯示,盛美上海2023年?duì)I業(yè)收入38.8...
2024-03-08 標(biāo)簽:第三代半導(dǎo)體 4.1k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)充電樁市場隨著高壓直流快充的推廣,在一些400kW以上的充電樁中已經(jīng)采用了SiC功率器件。同為第三代半導(dǎo)體的GaN,由于在...
2024-02-21 標(biāo)簽:GaN充電樁第三代半導(dǎo)體 5.2k 0
并購、擴(kuò)產(chǎn)、合作——盤點(diǎn)2023年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢下,近年來第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關(guān)注,市場以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度,擴(kuò)張規(guī)模不...
2024-02-18 標(biāo)簽:GaN并購第三代半導(dǎo)體 4.6k 0
國產(chǎn)器件突破1700V,功率GaN拓展更多應(yīng)用
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)GaN器件已經(jīng)在消費(fèi)電子領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟,而在消費(fèi)電子之外,電源產(chǎn)品還有很多較大的應(yīng)用市場,包括光伏逆變器、服務(wù)器電源、汽車領(lǐng)...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,襯底是價(jià)值量最大的部分,在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50%,相比之下,硅基半導(dǎo)體器件的成本構(gòu)成...
2024-01-21 標(biāo)簽:襯底碳化硅第三代半導(dǎo)體 3.8k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著智能家居的發(fā)展,高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小,但同時(shí)能夠保證最好的性能,氮化鎵(Ga...
車規(guī)產(chǎn)品井噴!盤點(diǎn)2023年推出的國產(chǎn)車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天...
2024-01-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC第三代半導(dǎo)體 4.3k 0
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