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標(biāo)簽 > 續(xù)流二極管
續(xù)流二極管（flyback diode），有時(shí)也稱為飛輪二極管或是snubber二極管，是一種配合電感性負(fù)載使用的二極管，當(dāng)電感性負(fù)載的電流有突然的變化或減少時(shí)，電感二端會(huì)產(chǎn)生突變電壓，可能會(huì)破壞其他元件。配合續(xù)流二極管時(shí)，其電流可以較平緩地變化，避免突波電壓的發(fā)生。
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AP8505/AP8507基于高壓同步整流架構(gòu)，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。
2024-01-09 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源續(xù)流二極管 5.4k 0
本文首先介紹了續(xù)流二極管是什么，然后分析了續(xù)流二極管的作用最后解釋了續(xù)流二極管的工作原理。
續(xù)流二極管作為電子電路中重要的元件之一，其故障可能導(dǎo)致整個(gè)電路的性能下降甚至完全失效。本文將深入探討續(xù)流二極管故障的原因，并詳細(xì)分析這些原因背后的機(jī)理，...
dcdc開關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別
高開關(guān)頻率通常可以提高DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因?yàn)楦哳l率開關(guān)可以減小開關(guān)器件的尺寸，降低開關(guān)過程中的能量損耗，從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。
探索汽車?yán)鋯?dòng)5V，5W至15W電源的預(yù)升壓的實(shí)現(xiàn)方式
本文以典型的5V，5W至15W電源為例，討論預(yù)升壓如何完美地解決該問題。
理論計(jì)算模型：主要介紹介紹電機(jī)控制器各器件功率損耗的計(jì)算過程，可用于Matlab仿真建模，從而得知電機(jī)控制器的理論效率值和損耗值。
當(dāng)t=[0,Ton]時(shí)，PWM信號高電平MOS管導(dǎo)通，續(xù)流二極管D截止，向電感L充磁，向電容C充電，同時(shí)給負(fù)載供電；
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
雙電阻和三電阻的采樣方案比較常見了，原理比較簡單。隨著成本的壓力和技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)在單電阻采樣的方式越來越常見。
2023-07-10 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電阻器續(xù)流二極管 4.5k 0
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻IGBT續(xù)流二極管 4.5k 0
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
淺析BUCK芯片在電路中的應(yīng)用及特點(diǎn)
隨著信息化時(shí)代的發(fā)展，生活中常見的電子產(chǎn)品，通常用到MCU、DSP、FPGA來作為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的控制系統(tǒng)
2023-10-24 標(biāo)簽：濾波電容BUCK開關(guān)穩(wěn)壓器 4.3k 0
基于Simulink永磁同步電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的仿真
永磁同步電動(dòng)機(jī)（PermanentMagnets Synchronous Motor，PMSM），轉(zhuǎn)子采用永磁材料，定子為短距分布式繞組，采用三相正弦波...
2023-06-28 標(biāo)簽：永磁同步電機(jī)線性調(diào)節(jié)器續(xù)流二極管 4.3k 0
正向穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通壓降低肖特基二極管正向壓降非常小，一般為0.2~0.45V，比快恢復(fù)二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小。
將兩個(gè)MOS管一上一下的方式放在一條直線上，叫做“半橋”，我們分別叫它上管和下管，而兩個(gè)半橋組合一起，就是H橋電路，正中心就是負(fù)載電機(jī)。
一般情況下，常見的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓，而反向阻斷電壓一般不會(huì)在Datasheet中被提及到，這是因?yàn)镮GBT通常會(huì)反并聯(lián)續(xù)流二極管
一、同步整流 同步整流是采用Rdson較低功率MOS，取代了異步整流中續(xù)流二極管以降低續(xù)流損耗的一種類型。由于功率MOS屬于電壓型器件。用功率MOS做整...
降壓轉(zhuǎn)換器是一個(gè)簡單的電路。圖 1 是降壓轉(zhuǎn)換器的簡化原理圖。MOSFET 高壓側(cè) MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷?？刂?IC（未圖示）使用閉合反饋環(huán)路來控制...
開關(guān)電源的PCB布局設(shè)計(jì)方案解析
續(xù)流二極管與IC的開關(guān)引腳及GND引腳距離較遠(yuǎn)，這會(huì)導(dǎo)致布線上的寄生電感增加從而導(dǎo)致噪音毛刺變大。為了改善布局不當(dāng)產(chǎn)生的毛刺噪聲，有時(shí)可能會(huì)追加RC緩沖...
2023-07-25 標(biāo)簽：pcb開關(guān)電源DC-DC 3.4k 0
通態(tài)損耗Ps。大體來講，通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即：Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 標(biāo)簽：IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 3.2k 0
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