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標(biāo)簽 > 肖特基二極管

肖特基二極管

肖特基二極管

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肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。

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肖特基二極管技術(shù)

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉

該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平;甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能,以便預(yù)測(cè)結(jié)溫。

2022-10-11 標(biāo)簽:FET肖特基二極管SiC 984 0

發(fā)光二極管的限流電阻如何取值呢?

發(fā)光二極管的限流電阻如何取值呢?

發(fā)光二極管主要部分也是一個(gè)PN結(jié),但是發(fā)光二極管導(dǎo)通后,其壓降一般都是2V左右,有的發(fā)光二極管的壓降可以達(dá)到3V。

2023-10-08 標(biāo)簽:二極管發(fā)光二極管肖特基二極管 984 0

肖特基二極管整流器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

有限的反向電壓:由于其結(jié)構(gòu),肖特基二極管整流器具有有限的反向電壓能力。最大數(shù)字通常在 100 伏左右。如果器件的制造具有上述數(shù)字,則會(huì)發(fā)現(xiàn)正向電壓將上升...

2022-12-13 標(biāo)簽:二極管整流器肖特基二極管 978 0

深度解析肖特基二極管基本原理及設(shè)計(jì)

正向傳導(dǎo): P+網(wǎng)格的設(shè)計(jì)使得耗盡 V>0的區(qū)域不受擠壓。 肖特基的多個(gè)導(dǎo)電通道 形成屏障

2023-01-12 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管 958 0

都是整流作用,肖特基二極管與整流二極管有什么區(qū)別呢?

都是整流作用,肖特基二極管與整流二極管有什么區(qū)別呢?

由此可知,肖特基二極管和整流二極管是互補(bǔ)的二極管。肖特基憑借其超低正向壓降和超快開(kāi)關(guān)速度在低壓、高頻、高效率領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。整流二極管則憑借其高反向電...

2025-08-22 標(biāo)簽:整流二極管肖特基肖特基二極管 946 0

一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān)

同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。

2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管DCM 942 0

基于光電管并聯(lián)檢測(cè)車(chē)模通過(guò)測(cè)試方案

基于光電管并聯(lián)檢測(cè)車(chē)模通過(guò)測(cè)試方案

根據(jù)昨天實(shí)驗(yàn)結(jié)果,每個(gè)檢測(cè)模塊電路都是相同的。具有一進(jìn)一出兩個(gè)三芯接口。輸入的正向脈沖通過(guò) 肖特基二極管 D2 整流之后,儲(chǔ)能在 C10 電容上。這個(gè)電...

2023-10-07 標(biāo)簽:傳感器單片機(jī)電路板 928 0

瑞能硅基功率二極管產(chǎn)品系列及其應(yīng)用介紹

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整流橋在電力電子拓?fù)渲械膽?yīng)用中,具備的特點(diǎn)包括:較低的導(dǎo)通壓降VF;反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng);較強(qiáng)的浪涌能力。

2023-08-29 標(biāo)簽:二極管功率二極管肖特基二極管 917 0

肖特基二極管和電源變壓器有什么關(guān)聯(lián)

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肖特基二極管和電源變壓器是電力電子系統(tǒng)中兩個(gè)重要的元件,它們雖然在功能和工作原理上有所不同,但在一些應(yīng)用中具有緊密的關(guān)聯(lián)。我們來(lái)探討肖特基二極管與電源變...

2024-12-20 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管電源變壓器 904 0

兼容能源之星—同步整流IC U7710SG

蘋(píng)果在2020年的秋季新聞發(fā)布上,突然宣布取消附贈(zèng)標(biāo)準(zhǔn)5V/1A手機(jī)適配器,這一變化催生了零部件市場(chǎng)大功率適配器需求的再次繁榮。

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氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。

2023-04-14 標(biāo)簽:肖特基二極管SiCGaN 872 0

星海SD系列肖特基二極管:SOD-123/SOD-323封裝技術(shù)應(yīng)用速覽?

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在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,肖特基二極管的封裝選型直接影響電路性能與空間利用率。星海(STARSEA)SD系列的SOD-123與SOD-323兩款貼片封裝,憑借差...

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碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種高性能的半導(dǎo)體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能...

2023-02-03 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 794 0

PCB布局挑戰(zhàn)——改進(jìn)您的開(kāi)關(guān)模式電源設(shè)計(jì)

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深入研究該項(xiàng)目,我們將檢查L(zhǎng)M22678 5A 轉(zhuǎn)換器(圖 2)的 PCB 布局,其中V輸入為 12 V(未顯示),V輸出為 5 V。這是一個(gè)非同步降壓...

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碳化硅的RDS(ON)較低,因而開(kāi)關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍?;谔蓟璧男ぬ鼗O管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電...

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如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

在工業(yè)電子設(shè)備中,過(guò)壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器,以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的過(guò)壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌...

2024-12-22 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管浪涌抑制器 760 0

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、...

2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 758 0

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)...

2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SBDSiC 741 0

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    緩沖電路
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    buck是降壓型電路,boost是升壓型電路,可以分開(kāi)單獨(dú)使用,buck-boost電路就是把2種電路合在一起,可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能,常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種,第一種是輸入與輸出電壓極性相反,只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管,可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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    識(shí)別技術(shù)
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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