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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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國芯思辰|基本半導(dǎo)體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車載充電機(jī)二次側(cè)整流
車載充電機(jī)可實(shí)現(xiàn)交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-750VDC)輸出的功能,其電路的核心架構(gòu)通常由整流、PFC升壓、LLC逆...
2022-07-20 標(biāo)簽:肖特基二極管科銳基本半導(dǎo)體 1.5k 0
肖特基二極管的反向恢復(fù)時間表示的是從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)時所需的時間。它是指當(dāng)肖特基二極管從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂箷r,電流停止流動,并且由于電荷存...
2023-08-24 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電路電流 5.6k 0
由于肖特基二極管的快速開關(guān)速度和低開啟電壓,它被廣泛應(yīng)用于高頻電路、功率放大器和開關(guān)電路等需要快速開關(guān)和低功耗的應(yīng)用中。而開關(guān)二極管則在一般的電路中使用...
2023-08-22 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電路功率放大器 2.1k 0
低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 是一種用于調(diào)節(jié)較高電壓輸入產(chǎn)生的輸出電壓的簡單方法。在大多數(shù)情況下,低壓降穩(wěn)壓器都易于設(shè)計和使用。然而,如今的現(xiàn)代應(yīng)用都包括各...
肖特基二極管是通過PN結(jié)上有額外的金屬柵極(Gate)引入的,可以通過調(diào)節(jié)柵極電壓控制二極管的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)。整流二極管是通過PN結(jié)的直接工作來實(shí)現(xiàn)整流...
2023-08-17 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源整流二極管 9.6k 0
在新能源汽車市場快速發(fā)展的背景下,車載功率半導(dǎo)體需求量激增,其中,碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能...
在新能源汽車市場快速發(fā)展的背景下,車載功率半導(dǎo)體需求量激增,其中,碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能...
肖特基二極管怎么看正負(fù) 肖特基二極管和tvs管的區(qū)別
測量正向電壓降:將正向測試引線連接到肖特基二極管的正極,將負(fù)向測試引線連接到其負(fù)極。此時,萬用表應(yīng)顯示一個正向電壓降,表示電流從正極流向負(fù)極時的壓降。如...
肖特基二極管在某些場合中可以替代普通二極管,但在選擇二極管時需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求、電路性能和參數(shù)要求來進(jìn)行綜合考慮。
2023-08-04 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管高速開關(guān) 6.2k 0
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2023-08-04 標(biāo)簽:探測器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管 1.5k 0
肖特基二極管是一種特殊類型的二極管,其中正向電壓降低較低,反向恢復(fù)時間快。它的特點(diǎn)是通過在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間形成金屬P-N接觸而實(shí)現(xiàn)的。肖特基二...
極性:KB-J代表的是肖特基整流橋(Schottky Bridge),而GB-J代表的是普通整流橋(General Bridge)。 - 肖特基整流橋...
2023-08-02 標(biāo)簽:肖特基二極管快恢復(fù)二極管整流橋 1.1萬 0
肖特基二極管因其快速開關(guān)、低功耗、低電壓降和高效率等特點(diǎn),在諸多電子電路中扮演著重要的角色,包括整流電路、開關(guān)電源、逆變器、放大器和高頻電路等。
2023-08-02 標(biāo)簽:放大器二極管開關(guān)電源 1.4萬 0
氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢, 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2.9k 0
全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況及對我國有何啟示
寬禁帶半導(dǎo)體往往具備高的擊穿場強(qiáng)、高的電子飽和速度和強(qiáng)的抗輻射等特性,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下,近年來持續(xù)受到產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。
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