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      標簽　>　肖特基二極管

      肖特基二極管

      肖特基二極管

      +關(guān)注5人關(guān)注

      肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。

      文章：531個 瀏覽：37229次 帖子：198個

      肖特基二極管技術(shù)

      RTC電路筆記

      RTC電路筆記

      最近一兄弟分享了他寫的RTC筆記，我覺得還是挺不錯的，征求其意見后發(fā)出來給兄弟們看看。

      2023-05-25 標簽：二極管ldo電池充電 2.9k 0

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      2024-11-22 標簽：整流器穩(wěn)壓二極管肖特基二極管 2.9k 0

      肖特基二極管的反向恢復(fù)過程

      肖特基二極管的反向恢復(fù)過程

      SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基勢壘二極管的縮寫。

      2023-04-06 標簽：二極管半導(dǎo)體電壓 2.9k 0

      產(chǎn)品正常使用下的鋰電池充電電路設(shè)計

      產(chǎn)品正常使用下的鋰電池充電電路設(shè)計

      恒壓充電階段（已經(jīng)充滿85%以上，在慢慢的進行補充） 在鋰電池的電容量達到了85％時候（約值），必須再次進入慢充階段。

      2020-08-14 標簽：鋰電池充電電池鎳氫電池 2.9k 0

      肖特基二極管4大特性

      肖特基二極管4大特性

      前言 肖特基二極管是重要的電子元器件，因為其承載著保護電路的重要作用，所以顯得格外的不可或缺，我們都知道在選擇肖特基二極管時，主要看它的正向?qū)▔航?、?..

      2023-01-23 標簽：二極管電壓肖特基二極管 2.9k 0

      氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

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      超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。

      2023-07-27 標簽：場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2.9k 0

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      肖特基二極管：具有快速開關(guān)和低壓降特性的二極管，常用于高頻電路和功率電子器件中。

      2023-12-08 標簽：二極管光電傳感器肖特基二極管 2.8k 0

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      2023-09-07 標簽：pcb開關(guān)電源濾波器 2.8k 0

      LDO封裝如何選擇？LDO輸出過流了會發(fā)生什么？

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      為調(diào)節(jié)所需的輸出電壓，反饋回路將控制漏-源極電阻 RDS。隨著 VIN 逐漸接近 VOUT(nom)，誤差放大器將驅(qū)動?xùn)?源極電壓 VGS 負向增大，以...

      2024-04-07 標簽：ldo肖特基二極管輸入電壓 2.8k 0

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      2023-10-31 標簽：集成電路CMOSJFET 2.8k 0

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      肖特基二極管由金屬到N結(jié)構(gòu)成，而不是由PN半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)成。肖特基二極管也稱為熱載流子二極管，其特點是開關(guān)時間快(反向恢復(fù)時間短)、正向壓降低(金屬硅結(jié)通常...

      2022-12-15 標簽：二極管半導(dǎo)體肖特基二極管 2.7k 0

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      2023-02-21 標簽：二極管半導(dǎo)體PN結(jié) 2.7k 0

      貼片封裝的肖特基二極管簡析

      貼片封裝的肖特基二極管是一種小型、高速、高效的半導(dǎo)體器件，通常由硅材料制成。

      2023-02-25 標簽：整流二極管肖特基二極管半導(dǎo)體器件 2.6k 0

      肖特基二極管針腳數(shù)是指什么？

      肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。

      2023-02-16 標簽：變頻器晶體管肖特基二極管 2.6k 0

      混合IGBT支持電子應(yīng)用中的更高效率

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      傳統(tǒng)的 IGBT 在歷史上一直受到開關(guān)損耗的影響。為了高效運行，IGBT 需要像硅 FRD 一樣的續(xù)流二極管 （FRD），如圖 1 所示。隨著 Rohm...

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      2024-04-27 標簽：鋰離子電池MOSFET充電器 2.5k 0

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        Buck-Boost
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        識別技術(shù)
        +關(guān)注
        所謂識別技術(shù)，也稱為自動識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計算機系統(tǒng)供進一步處理。
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      • 制冷片
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