晶片濕法刻蝕技術(shù)研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個(gè)濕蝕過(guò)程中的完整性，它給出了一些確保這種保護(hù)的提示，并提出了評(píng)估這種保護(hù)的相關(guān)新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1.5k 0

一種基于摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的新型納米制備方法

在本研究中，通過(guò)對(duì)目標(biāo)區(qū)域的低破壞性掃描和在KOH溶液中的后蝕刻，發(fā)展了一種在石英表面產(chǎn)生三維納米結(jié)構(gòu)的新型納米加工方法。這種納米制造方法的能力通過(guò)各種...

2022-05-13 標(biāo)簽：納米蝕刻加工 714 0

車(chē)輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量實(shí)驗(yàn)

我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車(chē)輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量。數(shù)據(jù)表明，當(dāng)使用貨車(chē)輪圖案時(shí)，存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng)，這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限...

2022-05-11 標(biāo)簽：晶圓蝕刻測(cè)量 580 0

硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻研究

在使用低溫卡盤(pán)的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率...

2022-05-11 標(biāo)簽：晶圓蝕刻反應(yīng)器 1.4k 0

使用蝕刻掩模材料在InP襯底中實(shí)現(xiàn)V形槽

p-i-n光電探測(cè)器封裝中最具挑戰(zhàn)性的任務(wù)之一是將光纖耦合到探測(cè)器。由于探測(cè)器和光纖的尺寸都非常小，精確和準(zhǔn)確的對(duì)準(zhǔn)非常關(guān)鍵。如今，在大多數(shù)情況下，這是...

2022-05-11 標(biāo)簽：材料蝕刻掩模 1.3k 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（下）

接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑...

2022-05-11 標(biāo)簽：光學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1.3k 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（上）

?引言 我們報(bào)道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級(jí)的橫向尺度和幾微米量級(jí)...

2022-05-11 標(biāo)簽：光學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1.5k 0

使用n型GaSb襯底優(yōu)化干法和濕法蝕刻工藝

基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ)，外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長(zhǎng)的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測(cè)，以...

2022-05-11 標(biāo)簽：工藝蝕刻 1.8k 0

超聲波頻率對(duì)化學(xué)蝕刻過(guò)程的影響實(shí)驗(yàn)報(bào)告

超聲增強(qiáng)化學(xué)腐蝕被用來(lái)制作多孔硅層，通過(guò)使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可...

2022-05-06 標(biāo)簽：超聲波蝕刻蝕刻工藝 1.7k 0

光致抗蝕劑剝離和清洗對(duì)器件性能的影響

退火后對(duì)結(jié)特性的剝離和清潔對(duì)于實(shí)現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要，發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會(huì)導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化，植入條件可以增強(qiáng)這些效應(yīng)，令...

2022-05-06 標(biāo)簽：蝕刻晶片清洗 822 0

一種臭氧氧化和硅蝕刻技術(shù)

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過(guò)臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測(cè)量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種...

2022-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氧化物 853 0

多晶硅蝕刻殘留物的的形成機(jī)理

為了闡明蝕刻殘留物的形成機(jī)理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘...

2022-05-06 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻 1.8k 0

金屬蝕刻殘留物對(duì)對(duì)等離子體成分和均勻性的影響

本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對(duì)等離子體成分和均勻性的影響。通過(guò)所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來(lái)分析室壁，并且通過(guò)光發(fā)射光譜來(lái)監(jiān)測(cè)C...

2022-05-05 標(biāo)簽：等離子蝕刻晶片 1.4k 0

溫度對(duì)去除氮化物和氧化物層的影響

本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對(duì)氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時(shí)間將提高制造過(guò)程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化...

2022-05-05 標(biāo)簽：工藝蝕刻氧化物 1.9k 0

使用晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)

本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單技術(shù)，通過(guò)使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一...

2022-05-05 標(biāo)簽：處理技術(shù)蝕刻晶片 1.4k 0

蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前的表面預(yù)處理的效果

金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無(wú)需使無(wú)電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究...

2022-04-29 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 1k 0

硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對(duì)硅表面的影響，制...

2022-04-26 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 4.9k 0

如何對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕

氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開(kāi)發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...

2022-04-26 標(biāo)簽：發(fā)光二極管氮化鎵蝕刻 2.7k 0

堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響

我們研究了堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過(guò)計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和...

2022-04-24 標(biāo)簽：蝕刻單晶硅片 951 0

利用蝕刻法消除硅晶片表面金屬雜質(zhì)?

為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特...

2022-04-24 標(biāo)簽：蝕刻金屬硅晶片 1.1k 0