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標(biāo)簽 > 負(fù)載效應(yīng)
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示波器探頭在測(cè)試的時(shí)候會(huì)引入什么負(fù)載效應(yīng)
在進(jìn)行電子測(cè)試時(shí),示波器探頭作為一種重要的測(cè)量工具,其性能對(duì)測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性具有重要影響。然而,在使用示波器探頭進(jìn)行測(cè)量時(shí),探頭本身也會(huì)引入一定的負(fù)載效...
反饋系統(tǒng)中負(fù)載效應(yīng)的計(jì)算方法
在反饋系統(tǒng)傳輸函數(shù)的計(jì)算中,先計(jì)算出開(kāi)環(huán)傳輸函數(shù),再利用反饋理論公式計(jì)算閉環(huán)傳輸函數(shù)。
2023-12-01 標(biāo)簽:反饋系統(tǒng)負(fù)載效應(yīng) 2.4k 0
等離子體圖形化刻蝕過(guò)程中,刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓,稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能
負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對(duì)良率和器件性能有重大影響,并且它會(huì)隨著 FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件工藝的持續(xù)微縮變得越來(lái)越重要[1-2]...
2023-01-06 標(biāo)簽:晶體管FinFET負(fù)載效應(yīng) 1.8k 0
直流穩(wěn)定電源的三大主要技術(shù)指標(biāo)
直流穩(wěn)定電源的主要技術(shù)指標(biāo)為源效應(yīng)、負(fù)載效應(yīng)、紋波。
2020-06-18 標(biāo)簽:紋波直流穩(wěn)定電源負(fù)載效應(yīng) 6.1k 0
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