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鍵合

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鍵合技術(shù)

芯片鍵合工藝技術(shù)介紹

在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（...

2025-10-21 標(biāo)簽：芯片晶圓鍵合 668 0

詳解先進(jìn)封裝中的混合鍵合技術(shù)

在先進(jìn)封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號(hào)完整性，還可以實(shí)現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平...

2025-09-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體鍵合先進(jìn)封裝 593 0

一文詳解SOI異質(zhì)結(jié)襯底

SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設(shè)計(jì)，是在頂層硅與硅襯底之間引入一層氧化層，這層氧化層可將襯底硅與表面的硅器...

2025-09-22 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體鍵合 4.2k 0

芯片制造中的鍵合技術(shù)詳解

鍵合技術(shù)是通過(guò)溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵，實(shí)現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃）原子級(jí)結(jié)合的核心工藝，起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI...

2025-08-01 標(biāo)簽：集成電路芯片制造鍵合 1.1k 0

基于TSV的三維集成電路制造技術(shù)

三維集成電路工藝技術(shù)因特征尺寸縮小與系統(tǒng)復(fù)雜度提升而發(fā)展，其核心目標(biāo)在于通過(guò)垂直堆疊芯片突破二維物理極限，同時(shí)滿足高密度、高性能、高可靠性及低成本的綜合需求。

2025-07-08 標(biāo)簽：芯片集成電路鍵合 1.3k 0

硅熔融鍵合工藝概述

硅片鍵合作為微機(jī)械加工領(lǐng)域的核心技術(shù)，其工藝分類與應(yīng)用場(chǎng)景的精準(zhǔn)解析對(duì)行業(yè)實(shí)踐具有重要指導(dǎo)意義。

2025-06-20 標(biāo)簽：射頻工藝硅片 660 0

芯片封裝中的打線鍵合介紹

打線鍵合就是將芯片上的電信號(hào)從芯片內(nèi)部“引出來(lái)”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細(xì)的金屬線（多為金線、鋁線或銅線）將芯片的焊盤（bond pad）和支架（如引線框...

2025-06-03 標(biāo)簽：芯片封裝焊盤鍵合 1.3k 0

混合鍵合工藝介紹

所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過(guò)金屬互連的混合鍵合工藝，來(lái)實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bo...

2025-06-03 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 1.4k 0

芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析

裝片工序完成后，芯片雖已穩(wěn)固于載體（基板或框架）之上，但其表面預(yù)設(shè)的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接，因而需通過(guò)內(nèi)互聯(lián)工藝實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。

2025-04-23 標(biāo)簽：芯片工藝超聲波 932 0

倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過(guò)程

本文介紹了倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過(guò)程以及詳細(xì)工藝等。

2025-04-22 標(biāo)簽：pcb 工藝鍵合 1.9k 0

芯片封裝的四種鍵合技術(shù)

芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)（Bonding）就是將晶圓芯片固定于基板上。

2025-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 2.1k 0

芯片封裝鍵合技術(shù)工藝流程以及優(yōu)缺點(diǎn)介紹

芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)就是將裸芯片與外部材料連接起來(lái)的方法。鍵合可以通俗的理解...

2025-03-22 標(biāo)簽：芯片封裝鍵合半導(dǎo)體制造 4.3k 0

金絲鍵合的主要過(guò)程和關(guān)鍵參數(shù)

金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來(lái)達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長(zhǎng)處。通常情況下，熱壓鍵合所需溫度在300℃以上，而在引入超聲作用后，熱超...

2025-03-12 標(biāo)簽：工藝參數(shù)鍵合 2.8k 0

一文詳解共晶鍵合技術(shù)

鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽(yáng)極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合，所需的溫度更低，壓力也更小。帶...

2025-03-04 標(biāo)簽：mems 工藝焊接 1.9k 0

什么是金屬共晶鍵合

金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過(guò)低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。

2025-03-04 標(biāo)簽：晶圓工藝鍵合 1.4k 0

銅線鍵合IMC生長(zhǎng)分析

銅引線鍵合由于在價(jià)格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢(shì)有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic ...

2025-03-01 標(biāo)簽：芯片封裝顯微鏡鍵合 1.9k 0

Cu-Cu混合鍵合的原理是什么

本文介紹了Cu-Cu混合鍵合主要用在哪方面以及原理是什么。

2025-02-26 標(biāo)簽：芯片晶圓鍵合 1.2k 0

揭秘Au-Sn共晶鍵合：MEMS封裝的高效解決方案

隨著微型機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的快速發(fā)展，其在汽車、醫(yī)療、通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。MEMS器件由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和功能特性，對(duì)封裝技術(shù)提出了...

2025-01-23 標(biāo)簽：鍵合微型機(jī)電 MEMS封裝 2.3k 0

半導(dǎo)體固晶工藝深度解析

隨著科技的日新月異，半導(dǎo)體技術(shù)已深深植根于我們的日常生活，無(wú)論是智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)，還是各式各樣的智能裝置，半導(dǎo)體芯片均扮演著核心組件的角色，其性能表現(xiàn)與...

2025-01-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝鍵合 2.1k 0

芯片制造的關(guān)鍵一步：鍵合技術(shù)全攻略

在芯片制造領(lǐng)域，鍵合技術(shù)是一項(xiàng)至關(guān)重要的工藝，它直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性以及生產(chǎn)成本。本文將深入探討芯片制造技術(shù)中的鍵合技術(shù)，包括其基本概念、分類、...

2025-01-11 標(biāo)簽：晶圓芯片封裝鍵合 3.4k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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