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鍵合

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鍵合技術(shù)

先進封裝之芯片熱壓鍵合技術(shù)

回顧過去五六十年，先進邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來提升。提升的主要動力來自三極管數(shù)量的增加來實現(xiàn)，而單個三極管性能的提高對維護摩爾定律只是起到輔佐的作...

2023-05-11 標簽：芯片三極管晶圓 1.5k 0

什么是金屬共晶鍵合

金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學反應(yīng)，在較低溫度下通過低溫相變而實現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學的角度定義。

2025-03-04 標簽：晶圓工藝鍵合 1.4k 0

混合鍵合工藝介紹

所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bo...

2025-06-03 標簽：芯片晶圓工藝 1.4k 0

基于TSV的三維集成電路制造技術(shù)

三維集成電路工藝技術(shù)因特征尺寸縮小與系統(tǒng)復雜度提升而發(fā)展，其核心目標在于通過垂直堆疊芯片突破二維物理極限，同時滿足高密度、高性能、高可靠性及低成本的綜合需求。

2025-07-08 標簽：芯片集成電路鍵合 1.3k 0

芯片封裝中的打線鍵合介紹

打線鍵合就是將芯片上的電信號從芯片內(nèi)部“引出來”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細的金屬線（多為金線、鋁線或銅線）將芯片的焊盤（bond pad）和支架（如引線框...

2025-06-03 標簽：芯片封裝焊盤鍵合 1.3k 0

Cu-Cu混合鍵合的原理是什么

本文介紹了Cu-Cu混合鍵合主要用在哪方面以及原理是什么。

2025-02-26 標簽：芯片晶圓鍵合 1.2k 0

芯片制造中的鍵合技術(shù)詳解

鍵合技術(shù)是通過溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學鍵，實現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃）原子級結(jié)合的核心工藝，起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI...

2025-08-01 標簽：集成電路芯片制造鍵合 1.1k 0

使用鍵合線對以太網(wǎng)電纜能確保惡劣環(huán)境下的連接性

作者：Stephen Evanczuk 投稿人：DigiKey 北美編輯隨著向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 的遷移，采用大量傳感器和執(zhí)行器的工業(yè)環(huán)境對提高...

2024-01-01 標簽：傳感器以太網(wǎng)電纜 1k 0

功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

歡迎了解胡彪成蘭仙李振鈴戴小平（華南農(nóng)業(yè)大學湖南國芯半導體科技有限公司湖南省功率半導體創(chuàng)新中心）摘要：為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5...

2024-01-02 標簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)功率模塊鍵合 1k 0

芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析

裝片工序完成后，芯片雖已穩(wěn)固于載體（基板或框架）之上，但其表面預設(shè)的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接，因而需通過內(nèi)互聯(lián)工藝實現(xiàn)導通。

2025-04-23 標簽：芯片工藝超聲波 932 0

硅熔融鍵合工藝概述

硅片鍵合作為微機械加工領(lǐng)域的核心技術(shù)，其工藝分類與應(yīng)用場景的精準解析對行業(yè)實踐具有重要指導意義。

2025-06-20 標簽：射頻工藝硅片 660 0

芯片鍵合工藝技術(shù)介紹

在半導體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（...

2025-10-21 標簽：芯片晶圓鍵合 648 0

詳解先進封裝中的混合鍵合技術(shù)

在先進封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號完整性，還可以實現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平...

2025-09-17 標簽：半導體鍵合先進封裝 588 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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