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閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機中保存資料等。
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機中保存資料等。
普冉P25Q128L-SUH是一款128M-bit超低功耗SPI NOR Flash，工作電壓1.65-2.0V，支持104MHz高速讀取與XIP技術(shù)。...
MXIC旺宏電子MX25L25645GM2I-08G NOR Flash以256Mb容量、104MHz Octa SPI接口及-40℃~105℃車規(guī)級可...
TMS320F2800157-Q1微控制器數(shù)據(jù)手冊的總結(jié)
TMS320F280015x （F280015x） 是成本優(yōu)化的 C2000 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展的超低延遲器件，專為提高電力電子效率而設(shè)計。
兆易創(chuàng)新NOR FLASH定義車載導(dǎo)航系統(tǒng)存儲新標準?
兆易創(chuàng)新NOR Flash以其高速讀取、車規(guī)級可靠性和XIP技術(shù)，為車載導(dǎo)航系統(tǒng)提供快速啟動、實時數(shù)據(jù)存儲和完整路徑規(guī)劃支持，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)安全性。
2025-09-23 標簽：閃存車載導(dǎo)航系統(tǒng)flash內(nèi)存 3.5k 0
華邦低功耗NOR Flash為數(shù)字儀表盤續(xù)航賦能
華邦電子128Mb NOR Flash（W25Q128JWSIQ）憑借車規(guī)級可靠性（AEC-Q100認證）、52MB/s讀取帶寬及-40℃~125℃寬溫...
2025-09-16 標簽：閃存數(shù)字儀表板NOR flash 325 0
博雅NOR FLASH XIP技術(shù)實現(xiàn)電力儀表毫秒級快速啟動?
博雅128Mbit NOR Flash BY25Q128ESSIG為智能電力儀表提供高可靠存儲方案，133MHz讀取速度與-40℃~105℃寬溫保障數(shù)據(jù)...
2025-09-08 標簽：閃存存儲flash內(nèi)存 433 0
兆易創(chuàng)新GD25Q64ESIG NOR FLASH憑借64Mb容量、8Mbx8架構(gòu)及2.7V 3.6V寬電壓支持，其SOP 8封裝適配緊湊設(shè)計，高速SP...
2025-08-07 標簽：閃存導(dǎo)航兆易創(chuàng)新 642 0
自研MCU芯片閃存驅(qū)動的實現(xiàn)：OpenOCD詳細過程記錄與操作指南
在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)領(lǐng)域，MCU（微控制單元）芯片在眾多智能設(shè)備中發(fā)揮著核心的控制作用，其性能優(yōu)化與功能拓展一直是技術(shù)發(fā)展的重要方向。OpenOCD（Ope...
MAX32662 Arm Cortex-M4處理器，集成帶256KB閃存和80KB SRAM的FPU微控制器(MCU)技術(shù)手冊
在DARWIN系列中，MAX32662是一款低功耗、經(jīng)濟高效、高集成度32位微控制器，專為小型電池供電器件而設(shè)計。它將靈活的外設(shè)和功能組合與功能強大、搭...
MSPM0L2228-Q1 汽車級 32MHz Arm? Cortex-M0?+ MCU數(shù)據(jù)手冊
MSPM0Lx22x 微控制器 （MCU） 屬于基于 Arm Cortex-M0+ 32 位內(nèi)核平臺的高度集成、超低功耗 [32 位 MSPM0 MCU...
Micron-MT29F系列NAND閃存規(guī)格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-05-30 標簽：閃存NAND
MAX32555 Cortex-M3閃存微控制器英文數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-04-25 標簽：微控制器閃存Cortex-M3
類別：IC datasheet pdf 2025-03-24 標簽：閃存讀卡器SD
EE-239：在ADSP-BF533 Blackfin處理器上運行閃存程序立即下載
類別：電子資料 2025-01-07 標簽：閃存Blackfin處理器
PowerStore 4.2的全新發(fā)布，不僅延續(xù)了PowerStore一貫的高效與簡潔，更在性能優(yōu)化、運維體驗和安全機制等方面實現(xiàn)進化，為企業(yè)注入新的動力。
近日，在IDC最新發(fā)布的全球企業(yè)存儲系統(tǒng)季度跟蹤報告中，戴爾科技集團再度蟬聯(lián)全閃存存儲供應(yīng)商收入榜首！
XT25F64F 3.3V Quad I/O 串行閃存 —— 高性能存儲解決方案 隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、工業(yè)自動化、汽車電子以及消費電子等領(lǐng)域的不斷發(fā)展...
2025-10-15 標簽：閃存數(shù)據(jù)傳輸存儲 104 0
W25Q128JVSIM與GD25Q128ESIGR引腳兼容分析
華邦W25Q128JVSIM作為常用的128Mbit SPI NOR Flash芯片，其兼容替代方案兆易創(chuàng)新GD25Q128ESIGR已獲得批量客戶的認...
9月19至21日，2025中國國際消費電子博覽會（簡稱 “電博會”）在青島國際會展中心圓滿舉辦。作為新紫光集團旗下存儲領(lǐng)域的核心力量，紫光閃芯創(chuàng)新閃存品...
不知你是否留意到，各大存儲廠商，甚至是部分手機廠商在今年新發(fā)的產(chǎn)品里都用上了「QLC閃存」。根據(jù)IDC調(diào)研報告（《全球固態(tài)硬盤預(yù)測更新報告》 #US50...
普冉32Mb NOR Flash P25Q32SH-SSH-IT為U盾提供高速、高可靠性存儲方案，支持10萬次擦寫與20年數(shù)據(jù)保持，1.65V~3.6V...
本文詳細介紹了閃存（FlashMemory）作為非易失性存儲的關(guān)鍵技術(shù)，區(qū)分了NOR和NAND閃存的不同特點，探討了它們在企業(yè)應(yīng)用、消費設(shè)備中的角色，并...
Kioxia成功研發(fā)5TB大容量、64GB/s高帶寬閃存模塊原型
全球存儲解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation成功研發(fā)出一款大容量、高帶寬閃存模塊原型，該模塊對于大規(guī)模人工智能(AI)模型而言至關(guān)...
Flash閃存-RSUN2M：高性能微型 SPI 閃存，開啟智能存儲新體驗
在萬物互聯(lián)與智能終端飛速發(fā)展的時代，存儲器件的性能、可靠性與小型化成為設(shè)備創(chuàng)新的關(guān)鍵支撐。RSUNTECH重磅推出的RSUN2M串行閃存存儲器，以卓越性...
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