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標(biāo)簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存產(chǎn)品中的應(yīng)用探討
歡迎了解 邵滋人，李太龍，湯茂友 宏茂微電子（上海）有限公司 摘要： 在存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展過程中，三維閃存存儲(chǔ)器以其單位面積內(nèi)存儲(chǔ)容量大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，正...
先進(jìn)封裝形式及其在三維閃存封裝中的可能應(yīng)用
SiP 是將不同功能的芯片(例如存儲(chǔ)器、處理器無源器件等)封裝在同一個(gè)塑封體中,以此來實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整功能的封裝形式4.具有高集成、低功耗、良好的抗機(jī)械和化...
正如艾賓浩斯記憶曲線所示：輸入的信息經(jīng)過人腦的注意過程后被學(xué)習(xí)，學(xué)習(xí)的信息進(jìn)入人腦短時(shí)記憶。遺忘在學(xué)習(xí)后立即開始，若不及時(shí)加以復(fù)習(xí)，短時(shí)記憶中的信息就會(huì)...
致態(tài)NVMe SSD產(chǎn)品TiPlus7100 4TB評(píng)測
近日，長江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)發(fā)布了新款NVMe SSD產(chǎn)品TiPlus7100 4TB, 這是品牌第一款4TB大容量產(chǎn)品，之前TiPlus7100提供512...
先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用
近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場對(duì)數(shù)據(jù)處理以及存儲(chǔ)的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...
SSD廠商早就預(yù)測NAND閃存的價(jià)格會(huì)隨著時(shí)間的推移而下降，讓SSD能夠在單價(jià)上與HDD競爭。事實(shí)上，NAND閃存的價(jià)格一直在下降。
PY25Q128HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述
PY25Q128HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的...
提高3D NAND閃存存儲(chǔ)密度的四項(xiàng)基本技術(shù)
增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新...
PY25Q64HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦...
三季度智能手機(jī)需求反彈 NAND明年將現(xiàn)缺貨潮
2023年第三季度全球智能手機(jī)出貨量約為2.90億部，同比下降約1.6%，中國大陸市場出貨量約為6640萬部，同比下降約1.8%，不管是全球還是中國大陸...
深度解析存儲(chǔ)系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)
NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)介質(zhì)， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì),通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲(chǔ) 存在浮柵中，在無...
計(jì)算機(jī)是處理數(shù)字格式信息的電子機(jī)器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字，而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串，稱為二進(jìn)制（有時(shí)稱為“二進(jìn)制代碼”）。
2021年至2027年，以百萬計(jì)為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應(yīng)用增長最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中...
長江存儲(chǔ)首款4TB固態(tài)硬盤致態(tài)TiPlus 7100評(píng)測
致態(tài)TiPlus 7100固態(tài)硬盤采用晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)閃存，高達(dá)2400MT/s的閃存接口帶寬，對(duì)比上一代速度提高了50%。 四通...
長江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。
美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過高通平臺(tái)認(rèn)證
美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺(tái)上的元宇宙應(yīng)用提供高速和高能效。 美光科技宣布，其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和...
EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）是用戶可更改的只讀存儲(chǔ)器，可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從...
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