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標簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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閃存存儲是我們周圍幾乎所有電子設備中無所不在的組件。購買時可能會被視為商品。然而，實際情況遠非工業(yè)設備需要使用時的情況。在不了解用例的全貌的情況下，很容...
pSLC帶來的“新”存儲容量 偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟性
（ 作者：Swissbit AG 存儲解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲密度又達到新高的各種新...
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，...
蘋果airtag工作原理是怎么樣的？拆解蘋果AirTag發(fā)現(xiàn)內(nèi)部奧秘
AirTag的工作原理就很簡單了，電源通過銅線圈驅動固定在電池蓋上的磁鐵從而帶動電池蓋發(fā)出聲音，讓你找到丟失的物品。
閃存單元由修改的場效應晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。 ...
基于RISC-V內(nèi)核的K1986BK025微控制器的功能和系統(tǒng)結構
目前，基于開放標準指令集架構RISC-V的解決方案在市場上的占有率越來越高。今天我們?yōu)榇蠹医榻B一款俄羅斯初創(chuàng)公司Milandr剛剛推出的RISC-V處理...
長江存儲基于Xtacking架構的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態(tài)品牌——致鈦存儲于日前正式與我們見面，并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問...
現(xiàn)在在MCU上實現(xiàn)固件升級（OTA）功能變得越來越普遍，今天我們就來探討一下MCU固件升級（OTA）的幾種閃存（Flash）劃分方式。
市面上常見的手機閃存規(guī)格有eMMC、UFS與NVMe，其中Android手機主要采用eMMC與UFS標準，而NVMe則是蘋果iPhone所使用的閃存標準。
NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲器，主要是因為小型，低功耗且堅固耐用。 盡管此技術適合現(xiàn)代存儲，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時，需要考慮許多重要特...
閃存顆粒有TSOP和BGA兩種封裝形式，前者在顆粒兩側各有一排引腳，后者則在芯片底部有大量的信號觸點。它們二者有何區(qū)別？
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您...
采用可編程邏輯器件ISPLSI1032E對閃存芯片實現(xiàn)控制
存儲器的發(fā)展具有容量更大、體積更小、功耗更低、價格更低的趨勢，這在閃速存儲器行業(yè)表現(xiàn)得淋漓盡致。隨著半導體制造工藝的發(fā)展，主流閃速存儲器廠家采用90nm...
如果不出意外，本月我們將看到很多武裝驍龍865移動平臺的年度Android旗艦，比如三星Galaxy S11系列、小米10系列、OPPO Find X2...
閃存設備的內(nèi)部結構包含芯片、芯片控制器、存儲處理器、緩存、控制器內(nèi)存以及接口。目前主流的接口包括 UFS、SATA、PCIe 等
2020-07-15 標簽：閃存存儲系統(tǒng)UFS 2.7k 0
以前，各類CPU的應用場所相對明確。除了少數(shù)幾個廠家采用ASIC芯片應用于特定的計算場合之外，Intel憑借著超強的算力、充足的PCI-e帶寬、穩(wěn)定的設...
NOR閃存器件的發(fā)展特點及實現(xiàn)低成本存儲器解決方案
SPI串行結構的EEPROM最早出現(xiàn)于20世紀80年代中期，由摩托羅拉在其MC68HC系列中首先引入，MicroWire是由國半制定的總線標準，它和SP...
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