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標(biāo)簽 > 閃存

閃存

閃存

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閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

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閃存技術(shù)

什么是閃存?它有哪些類型?

閃存(Flash Memory)是一種電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)器的形式,它允許在操作中被多次擦除和寫入數(shù)據(jù)。這種技術(shù)主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲(chǔ),以及在計(jì)算...

2024-09-26 標(biāo)簽:閃存FlaSh存儲(chǔ)器 3.9k 0

eMMC、UFS與NVMe區(qū)別是什么?

好在現(xiàn)在手機(jī)存儲(chǔ)已經(jīng)便宜下來(lái)了,相比蘋果把存儲(chǔ)當(dāng)成金子賣,從128GB升級(jí)到256GB需要加價(jià)900元,頂配1TB直接比128GB多了4500塊(對(duì),我...

2023-03-13 標(biāo)簽:閃存儲(chǔ)存卡emmc 3.9k 0

鐵電存儲(chǔ)器和Flash的區(qū)別

鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)與閃存(Flash)是兩種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器,它們?cè)诠ぷ髟?、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面...

2024-09-29 標(biāo)簽:閃存FlaSh鐵電存儲(chǔ)器 3.9k 0

什么是3D NAND閃存?

我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之...

2023-03-30 標(biāo)簽:閃存NANDPlanar 3.9k 0

北歐半導(dǎo)體推出128 MHz nRF54L15 Cortex-M33多協(xié)議無(wú)線微控制器

Nordic Semiconductor最近推出了128 MHz nRF54L15 Cortex-M33多協(xié)議無(wú)線微控制器,這是nRF54L系列的第一款...

2023-10-17 標(biāo)簽:微控制器電源閃存 3.8k 0

架構(gòu)/顆粒/接口/可靠性全面解析:最全面的閃存技術(shù)大普及

架構(gòu)/顆粒/接口/可靠性全面解析:最全面的閃存技術(shù)大普及

閃存最明顯特點(diǎn)就是穩(wěn)定性能,低時(shí)延和高隨機(jī)IOPS。對(duì)于閃存,在評(píng)估性能時(shí),我們一般主要關(guān)注90% IO落入規(guī)定的時(shí)延范圍(性能是一個(gè)線性范圍,而不是...

2018-06-12 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)技術(shù) 3.8k 0

基于NOR Flash的數(shù)據(jù)運(yùn)算方法專利揭秘

基于NOR Flash的數(shù)據(jù)運(yùn)算方法專利揭秘

Computing in Memroy是在DRAM中嵌入邏輯電路,打造“存算一體”架構(gòu),存算一體架構(gòu)會(huì)大幅降低資料在存儲(chǔ)器與處理器之間往返的負(fù)擔(dān),降低芯...

2019-12-25 標(biāo)簽:閃存dramai 3.7k 0

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

2023-07-12 標(biāo)簽:閃存NAND晶體管 3.7k 0

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

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NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中,具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。

2025-03-12 標(biāo)簽:閃存NAND存儲(chǔ)器 3.7k 0

新款旗艦手機(jī)中的存儲(chǔ)器技術(shù)解析

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從絲印上可以看出分別為:H58GG6MK6GX037 和 HN8T25DEHKX077(由于屏蔽罩遮擋,按照海力士命名規(guī)則第一個(gè)字母應(yīng)該是H)。 在海力...

2023-09-08 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器海力士 3.7k 0

如何使用高速NOR閃存配置FPGA

如何使用高速NOR閃存配置FPGA

NOR閃存已作為FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門列陣)的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來(lái)的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS(高級(jí)...

2019-02-23 標(biāo)簽:FPGA閃存 3.7k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層閃存揭秘

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類型中都無(wú)出其右者。

2023-11-02 標(biāo)簽:芯片閃存TLC 3.6k 0

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

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NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型。

2023-11-30 標(biāo)簽:閃存NANDFlaSh 3.6k 0

一文搞懂安全存儲(chǔ)相關(guān)的閃存芯片

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一、W25N01G的常規(guī)描述W25N01GV有65536個(gè)page(頁(yè)),每頁(yè)有2048個(gè)字節(jié)(2KB)可以按照64頁(yè)(64頁(yè)為1個(gè)block)進(jìn)行擦除...

2024-04-14 標(biāo)簽:閃存閃存芯片安全存儲(chǔ)器 3.6k 0

DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算 還有這些設(shè)計(jì)須知

除了設(shè)計(jì)沒(méi)有DRAM的SSD或USB磁盤驅(qū)動(dòng)器的成本外,還有其他原因。 閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)接口,要么就沒(méi)有具備。一...

2020-02-12 標(biāo)簽:閃存DRAM 3.5k 0

關(guān)于恒憶 Krypto 密碼訪問(wèn)的介紹

恒憶 閃存芯片 Krypto 密碼訪問(wèn)介紹

2018-06-26 標(biāo)簽:閃存numonyx 3.5k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)TiPlus7100 4TB SSD評(píng)測(cè)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)TiPlus7100 4TB SSD評(píng)測(cè)

其實(shí)早在年初,就有不少搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存顆粒的國(guó)產(chǎn)4TB SSD,不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的自有品牌致態(tài),直到現(xiàn)在才推出這款致態(tài)TiPlus7100 4TB。

2023-12-12 標(biāo)簽:閃存SSDPCIe 3.5k 0

兆易創(chuàng)新NOR FLASH定義車載導(dǎo)航系統(tǒng)存儲(chǔ)新標(biāo)準(zhǔn)?

兆易創(chuàng)新NOR FLASH定義車載導(dǎo)航系統(tǒng)存儲(chǔ)新標(biāo)準(zhǔn)?

兆易創(chuàng)新NOR Flash以其高速讀取、車規(guī)級(jí)可靠性和XIP技術(shù),為車載導(dǎo)航系統(tǒng)提供快速啟動(dòng)、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和完整路徑規(guī)劃支持,顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)安全性。

2025-09-23 標(biāo)簽:閃存車載導(dǎo)航系統(tǒng)flash內(nèi)存 3.5k 0

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND型閃存...

2023-06-10 標(biāo)簽:閃存NAND 3.4k 0

Data flash在CS+的應(yīng)用

Data flash在CS+的應(yīng)用

Data flash,直譯數(shù)據(jù)閃存,閃存有可執(zhí)行程序的“代碼閃存”和數(shù)據(jù)保存區(qū)的“數(shù)據(jù)閃存”,這里講的數(shù)據(jù)閃存,其實(shí)就是單片機(jī)留給用戶存儲(chǔ)自己數(shù)據(jù)的地方...

2023-09-13 標(biāo)簽:單片機(jī)閃存FlaSh 3.4k 0

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  • HDD
    HDD
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    HDD,Hard Disk Drive的縮寫,即硬盤驅(qū)動(dòng)器的英文名。最基本的電腦存儲(chǔ)器,電腦中常說(shuō)的電腦硬盤C盤、D盤為磁盤分區(qū)都屬于硬盤驅(qū)動(dòng)器。硬盤一般常見(jiàn)的磁盤容量為80G、128G、160G、256G、320G、500G、750G、1TB、2TB等等。
  • microSD
    microSD
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    Micro SD卡是一種極細(xì)小的快閃存儲(chǔ)器卡,其格式源自SanDisk創(chuàng)造,原本這種記憶卡稱為T-Flash,及后改稱為Trans Flash;而重新命名為Micro SD的原因是因?yàn)楸籗D協(xié)會(huì)(SDA)采立。另一些被SDA采立的記憶卡包括Mini SD和SD卡。其主要應(yīng)用于移動(dòng)電話,但因它的體積微小和儲(chǔ)存容量的不斷提高,已經(jīng)使用于GPS設(shè)備、便攜式音樂(lè)播放器和一些快閃存儲(chǔ)器盤中。
  • 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
    存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
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  • 手操器
    手操器
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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