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標簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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除了設計沒有DRAM的SSD或USB磁盤驅(qū)動器的成本外，還有其他原因。 閃存控制器的設計要么具有外部DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)存）接口，要么就沒有具備。一...
常見NAND閃存有哪些？5G的出現(xiàn)會使QLC大規(guī)模使用嗎
我們都知道固態(tài)硬盤采用閃存顆粒NAND Flash作為存儲介質(zhì)，所以它是固態(tài)硬盤中最重要的構(gòu)成部分，其好壞也就決定著固態(tài)硬盤質(zhì)量的好壞，而我們目前常見的...
基于NOR Flash的數(shù)據(jù)運算方法專利揭秘
Computing in Memroy是在DRAM中嵌入邏輯電路，打造“存算一體”架構(gòu)，存算一體架構(gòu)會大幅降低資料在存儲器與處理器之間往返的負擔，降低芯...
通常我們看一部手機的性能如何，首先看的就是處理器，其次就是運行內(nèi)存大小，至于閃存的一直不是那么重視，覺得能裝就行，64G不夠那就128，128G不行那就...
四級單元（QLC）NAND正在進入企業(yè)領域，它可幫助降低價格，低于目前領先的三級單元（TLC）NAND。四級單元應該會讓NAND閃存在未來幾年保持主流地...
在討論固態(tài)硬盤時經(jīng)常會聽到“無緩存方案”一詞，缺少了DRAM緩存的固態(tài)硬盤還能正常工作嗎？會不會因為少了緩存而短命？
UEFI Boot與GPT分區(qū)表已經(jīng)不算是新生事物了，不過長期以來感覺不到Legacy+MBR有何不便，很多人還在守舊。隨著AMD第三代銳龍的問世，學會...
首先我們要先清楚一個概念，路由器其實是一臺迷你版的電腦，它不只是一個將有線信號轉(zhuǎn)為無線信號的沒有技術的盒子。其實路由器有自己的CPU、內(nèi)存和硬盤，只不過...
Linux系統(tǒng)自誕生以來，不斷發(fā)展壯大，支持越來越多的硬件體系，獲得了日益廣泛的應用，從服務器、桌面計算，到機頂盒、手機、路由器等，可以說無處不在。雖然...
快閃存儲器（英語：flashmemory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ?。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲，...
基于華為鯤鵬處理器的新品——OceanStor V5及F V5智能閃存“芯”系列，具備高效能、高可靠、更智能的特性：
Hyperstone引入用例追蹤器來優(yōu)化NAND閃存的配置和管理
通過啟用追蹤和分析應用程序使用閃存方式的能力，制造商現(xiàn)在可以為任何用例確定最優(yōu)的閃存存儲技術。
2019-04-23 標簽：閃存NANDHyperstone 817 0
QLC即Quad-Level Cell架構(gòu)，每個閃存單元內(nèi)可儲存4個比特數(shù)據(jù)，相比TLC閃存的存儲密度提升33%。為了表達4比特數(shù)據(jù)，一個QLC閃存單元...
固態(tài)硬盤的耐用性受多方面的影響，如何能讓它更加長壽？
采用BiCS閃存的東芝固態(tài)硬盤在閃存耐用性上獲得了極佳的保障。內(nèi)置SSD溫度傳感器配合主控保護算法，能夠避免高溫給固態(tài)硬盤帶來損害。對于固態(tài)硬盤而言，唯...
NOR閃存已作為FPGA（現(xiàn)場可編程門列陣）的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS（高級...
閃存主控和網(wǎng)絡通信、圖像處理等芯片不同，它不是單純的輸入輸出數(shù)據(jù)流業(yè)務處理的模型。其系統(tǒng)由定制算法、數(shù)據(jù)調(diào)度、通用計算處理、總線仲裁、內(nèi)外存儲、數(shù)據(jù)接口...
2019-02-01 標簽：閃存 970 0
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Sy...
在去年的這個時候，NetApp在其大數(shù)據(jù)分析的產(chǎn)品組合中引入了幾款新產(chǎn)品，包括最新的全閃存陣列（AFA），NetApp EF570。EF570是一款中端...
動態(tài)磨損平衡：主要特點是下一次寫數(shù)據(jù)選擇那些擦除次數(shù)少的即young blocks來寫，但是那些存放cold data的塊的擦除次數(shù)是比存放hot da...
四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術和成本分析
每家制造商實施不同的技術手段，改變存儲類型和存儲單元設計，并在每一代產(chǎn)品中堆疊更多層，以增加比特密度，減小芯片尺寸。存儲單元架構(gòu)的技術變化和基本存儲器特...
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