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標(biāo)簽 > 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種形式的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器,可以以任何順序被讀取和改變,通常用于存儲(chǔ)工作數(shù)據(jù)和機(jī)器代碼。
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網(wǎng)絡(luò)服務(wù)幾乎在系統(tǒng)架構(gòu)的每一層都依賴于緩存。大型網(wǎng)絡(luò)服務(wù)依靠緩存系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)高性能和高效率。例如,在Facebook,CDN緩存為70%的網(wǎng)絡(luò)請(qǐng)求提供服務(wù)...
2023-07-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DRAM芯片緩存器 2.2k 0
每一塊FPGA芯片都是由有限多個(gè)帶有可編程連接的預(yù)定義源組成來實(shí)現(xiàn)一種可重構(gòu)數(shù)字電路。
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)的工作模式中,以數(shù)據(jù)讀取速率來分類,有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙...
ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲(chǔ)器在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的讀取電流都最小,特別適合于助聽器等可...
每個(gè)SRAM單元的核心由兩個(gè)CMOS反相器構(gòu)成,這兩個(gè)反相器相互連接,每個(gè)反相器的輸出電位被用作另一個(gè)反相器的輸入。這種結(jié)構(gòu)使得每個(gè)SRAM單元都可以保...
晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展研究
在我從事半導(dǎo)體設(shè)備的職業(yè)生涯之初,晶圓背面是個(gè)麻煩問題。當(dāng)時(shí)發(fā)生了一件令我記憶深刻的事:在晶圓傳送的過程中,幾片晶圓從機(jī)器人刀片上飛了出來。
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,提供非易失性存儲(chǔ)。
同步電路和異步電路的區(qū)別是什么? 同步電路:存儲(chǔ)電路中所有觸發(fā)器的時(shí)鐘輸入端都接同一個(gè)時(shí)鐘脈沖源,因而所有觸發(fā)器的狀態(tài)的變化都與所加的時(shí)鐘脈沖信號(hào)同步。
相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 標(biāo)簽:reset高電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1.5k 0
閃速存儲(chǔ)器屬于RAM還是ROM,閃速存儲(chǔ)器一般用來做什么的
在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)與只讀存儲(chǔ)器(ROM...
2025-01-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)閃速存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 1.4k 0
三星計(jì)劃背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)開發(fā)2nm芯片
BSPDN可以理解為Chiplet技術(shù)的演變(圖自:IMEC) 目前主流的 FinFET(過去被稱為 3D 晶體管)是 10nm 工藝發(fā)展過程中的關(guān)...
2022-11-11 標(biāo)簽:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器三星 1.4k 0
ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)
通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用,通關(guān)鍵目標(biāo)之一是實(shí)現(xiàn)單片集成,讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上,不僅僅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程,還提升了整體...
Microchip 23AA04M/23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM技術(shù)解析
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件,可通過兼容串行...
2025-10-09 標(biāo)簽:sramSPI隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 198 0
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