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非易失性存儲器

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　　非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。

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非易失性存儲器技術(shù)

數(shù)字電位器如何解決電路調(diào)節(jié)問題

電位器還能繼續(xù)使用的原因之一是，它們的設(shè)置在電源復(fù)位時不會丟失；不過數(shù)字電位器已經(jīng)消除了這一缺陷。

2022-07-28 標簽：微控制器運算放大器數(shù)字電位器 3.7k 0

數(shù)字電位器代替機械電位器的作用

對于某些應(yīng)用，數(shù)字電位器需要非易失性存儲功能。兩種器件類型（易失性和非易失性存儲器）在市場上都已確立。

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內(nèi)存和硬盤的區(qū)別與作用

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2023-05-17 標簽：cpu 硬盤內(nèi)存 3.7k 0

解析NAND閃存系統(tǒng)的特性平衡

在設(shè)計使用NAND閃存的系統(tǒng)時，選擇適當?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?閃存控制器還必須足夠靈活，以進行適當?shù)臋?quán)衡。選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產(chǎn)品要求...

2020-12-03 標簽：存儲技術(shù)NAND閃存閃存控制器 3.3k 0

淺析內(nèi)存基礎(chǔ)知識：易失性、非易失性和持久性

計算機、游戲機、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲器進行操作。設(shè)計人員需要了解易失性和非易失性存儲器件的各種選項，以優(yōu)...

2023-09-14 標簽：處理器電容器 DRAM 3.3k 0

基于非易失性存儲器的高可靠性存儲游戲數(shù)據(jù)方案

處理財務(wù)數(shù)據(jù)的電子系統(tǒng)需要高度的可靠性，賭場游戲機也不例外。這些機器存儲和/或訪問敏感的個人和財務(wù)信息，包括玩家數(shù)據(jù)和金額。玩家還可以調(diào)取補償資金和存儲...

2021-01-12 標簽：mcu 存儲器嵌入式系統(tǒng) 3.2k 0

利用安全閃存保護嵌入式系統(tǒng)解決網(wǎng)聯(lián)汽車和工業(yè)應(yīng)用中安全問題

I.引言在一個日益趨于嵌入式和互聯(lián)的世界中，安全問題正在變得舉足輕重。每一個嵌入式系統(tǒng)都擴大了攻擊面，從設(shè)備和車輛到辦公室和工廠，其中的一切都更加容易...

2020-09-25 標簽：汽車電子嵌入式系統(tǒng)非易失性存儲器 3.1k 0

窄帶隙InSe/In2Se3鐵電異質(zhì)結(jié)中可大幅調(diào)控的圓光生電流效應(yīng)

鐵電材料中的光生電流效應(yīng)在太陽能電池、光電探測和非易失性存儲器等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力，吸引了廣泛的研究興趣，但目前可覆蓋全太陽光譜的窄帶隙鐵電材料還很少見。

2023-10-11 標簽：太陽能電池光電探測器非易失性存儲器 2.9k 0

簡述非易失性存儲器的類型

非易失性存儲器（Non-Volatile Memory, NVM）是指即使在電源關(guān)閉或失去外部電源的情況下，仍能保持存儲數(shù)據(jù)的計算機存儲器。這類存儲器在...

2024-09-10 標簽：ROM 計算機非易失性存儲器 2.9k 0

高性能單電源 ARM7 微控制器介紹

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深入探索MRAM的原理與技術(shù)

MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同...

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STM32 IIC讀寫AT24C02（二）

上次已經(jīng)完成了IIC讀寫AT24C02的協(xié)議層，現(xiàn)在開始編寫讀寫AT24C02的驅(qū)動函數(shù)。先從單字節(jié)的讀寫開始。

2023-07-22 標簽：接收機 IIC總線發(fā)送器 2.4k 0

賽靈思關(guān)于存儲器和閃存存儲解決方案

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2019-07-24 標簽：云計算大數(shù)據(jù)非易失性存儲器 2.2k 0

如何使用Flash模擬EEPROM存儲參數(shù)？

在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持數(shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見的非易失性存儲器

2023-09-21 標簽：FlaSh EEPROM 非易失性存儲器 2.2k 0

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2024-01-11 標簽：緩沖器 EEPROM 電源電壓 2.2k 0

適合高級汽車市場ADAS應(yīng)用的非易失性存儲器MB85RS2MLY介紹

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2023-04-07 標簽：電源電壓 SPI接口非易失性存儲器 2.1k 0

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相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使...

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VCU硬件組成和作用介紹

隨著汽車處理器技術(shù)的發(fā)展，VCU逐漸從16位處理器芯片過渡到32位處理器芯片，32位處理器芯片已經(jīng)成為行業(yè)的主流產(chǎn)品。

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磁性隨機存取存儲器（MRAM)制造工藝

磁性隧道結(jié)（MTJ）通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽（MgO 或Al2O3）層組成的，它可以實現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...

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NAND存儲種類和優(yōu)勢

非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器（Flash Memory）與只讀存儲器（Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NA...

2024-03-22 標簽：閃存 NAND 非易失性存儲器 1.8k 0

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