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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電壓
驅(qū)動(dòng)電壓，使器件開(kāi)始工作所需的最小供電電壓。
驅(qū)動(dòng)電壓，使器件開(kāi)始工作所需的最小供電電壓。
?DRV8770 100V刷式直流柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 281 0
?DRV8300U 三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外...
2025-10-13 標(biāo)簽：二極管MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 225 0
?DRV8363-Q1 智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8363-Q1 是一款集成式智能柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 48V 汽車(chē)三相 BLDC 應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) ...
IGBT模塊GE間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。
2025-07-31 標(biāo)簽：IGBT驅(qū)動(dòng)電壓柵極電壓 3.3k 0
碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問(wèn)題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
2025-06-04 標(biāo)簽：SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 1.1k 0
UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車(chē)類(lèi) 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這...
UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27611 是一款針對(duì) 5V 驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)門(mén)針對(duì)增強(qiáng)型 GaN FET 進(jìn)行尋址。驅(qū)動(dòng)電壓 VREF 由內(nèi)部線性穩(wěn)壓器精確控...
TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
2025-05-15 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN 449 0
TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽：ldoFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 499 0
TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽：封裝FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 504 0
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用6個(gè)NMOS + 3個(gè)驅(qū)動(dòng)IC來(lái)搭橋，低邊NMOS的G極驅(qū)動(dòng)電壓如果大于D極,是否會(huì)有問(wèn)題?
標(biāo)簽：NMOS驅(qū)動(dòng)電壓 370 1
CX8838能做200W的電路設(shè)計(jì)立即下載
類(lèi)別：電源電路圖 2023-01-15 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)過(guò)溫保護(hù)驅(qū)動(dòng)電壓
BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓
SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場(chǎng)景適配性等方面的綜合優(yōu)勢(shì)，使其成為電力電子應(yīng)用中的首選，推動(dòng)了IGBT模塊向SiC模塊...
2025-02-13 標(biāo)簽：IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電壓 733 0
激光誘導(dǎo)石墨烯基數(shù)字微流控平臺(tái)，可用于低成本即時(shí)檢測(cè)
數(shù)字微流控（DMF）是一種新興的液體處理技術(shù)，在各種生物和生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用中顯示出廣闊的潛力。
2024-05-31 標(biāo)簽：微流控芯片驅(qū)動(dòng)電壓 1.5k 0
驅(qū)動(dòng)電壓和電壓調(diào)節(jié)是二相步進(jìn)電機(jī)的精準(zhǔn)性能策劃
二相步進(jìn)電機(jī)的工作原理基于電流在兩個(gè)相位之間切換，從而產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的磁場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。因此，驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)電機(jī)的性能起著決定性的影響。驅(qū)動(dòng)電壓的高低不僅決定了...
2024-03-25 標(biāo)簽：機(jī)器人步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓 920 0
瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證
3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
瞻芯電子推出第二代650V車(chē)規(guī)級(jí)TO263-7封裝助力高效高密應(yīng)用
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用...
合工大研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近紅外窄帶光電探測(cè)器
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，合肥工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院先進(jìn)半導(dǎo)體器件與光電集成實(shí)驗(yàn)室的王莉副教授和羅林保教授團(tuán)隊(duì)，成功研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近...
2024-01-11 標(biāo)簽：電流電壓光電探測(cè)器驅(qū)動(dòng)電壓 1.6k 0
提升液晶透鏡成像質(zhì)量的方法：減少由液晶材料取向波動(dòng)引起的霧度
液晶（LC）透鏡的霧度一直是虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）及其它光學(xué)應(yīng)用中存在的問(wèn)題，但是一項(xiàng)新的研究成果為工程師和研究人員增進(jìn)了對(duì)霧度產(chǎn)生的根本原...
2023-12-11 標(biāo)簽：機(jī)器視覺(jué)虛擬現(xiàn)實(shí)LCM 2k 0
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通...
2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)電壓 2.8k 0
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開(kāi)...
2023-10-19 標(biāo)簽：IGBT晶體管驅(qū)動(dòng)電壓 2.5萬(wàn) 0
寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)...
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