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標簽 > 驅(qū)動電壓
驅(qū)動電壓,使器件開始工作所需的最小供電電壓。
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本文就MOSFET的開關(guān)過程進行相關(guān)介紹與分析,幫助理解學習工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過...
SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 標簽:SiC驅(qū)動電壓SiC MOSFET 3.4k 0
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導體的助力,氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運行,且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進電動機的旋轉(zhuǎn)磁場 解釋: 轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進電動機的旋轉(zhuǎn)磁場,即低于換相速度時,步進電動機會產(chǎn)生失步。這是因為輸入電動機的電能...
經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實驗,總覺得這個不是很簡單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動,然后經(jīng)過幾萬次循環(huán),再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確...
MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級效應(yīng)
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導了其I/V特性,并闡述MOS管的二級效應(yīng),如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導等,之后介紹了MOS管的寄生電容,...
基于硅光波導中的光伏效應(yīng)實現(xiàn)每比特阿焦級的電光調(diào)制器
MIT研究小組基于硅光波導中的光伏效應(yīng),實現(xiàn)了每比特阿焦級的電光調(diào)制器,創(chuàng)造了新的低功耗調(diào)制器記錄。
2023-09-19 標簽:二極管晶體管光伏效應(yīng) 2.5k 0
MOS管(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動電壓降低可能會受到以下因素的影響
用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC,并有使用預涂...
使用高壓MOS作為開關(guān),例如下圖(來自于ADI官網(wǎng))LTC2949的典型應(yīng)用電路中,使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關(guān);選用高壓MOS的原因是成本相對...
TFT-LCD液晶面板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)又是什么樣的呢?
眾所周知,液晶面板是液晶顯示器的心臟,占據(jù)了整個產(chǎn)品八成以上的成本,其質(zhì)量會直接影響到顯示器的色彩、亮度、對比度、可視角度等等功能參數(shù)和顯示效果。
整個基礎(chǔ)知識體系中,差分線(對)是很難搞的部分,卻是最常用的部分。說到差分線基礎(chǔ)知識,里面的概念很多,記得剛接觸的時候,奇模&共模有時候會搞不清楚。
什么是超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性
功率MOSFET在開通的過程中,當VGS的驅(qū)動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2,漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流,VGS和ID保持由...
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