登錄
登錄后你可以
- 下載海量資料
- 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
- 觀看技術(shù)視頻
- 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
登錄
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心
完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > NAND
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫(xiě)（編程）和擦除操作的速率快，而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫(xiě)（編程）操作的能力（見(jiàn)下圖圖2）。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行（XiP），而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢，NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今，越來(lái)越多的處理器具備直接NAND接口，并能直接從NAND（沒(méi)有NOR）導(dǎo)入數(shù)據(jù)。
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫(xiě)（編程）和擦除操作的速率快，而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫(xiě)（編程）操作的能力（見(jiàn)下圖圖2）。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行（XiP），而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢，NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今，越來(lái)越多的處理器具備直接NAND接口，并能直接從NAND（沒(méi)有NOR）導(dǎo)入數(shù)據(jù)。
編程速度快、擦除時(shí)間短
NAND的真正好處是編程速度快、擦除時(shí)間短。NAND支持速率超過(guò)5Mbps的持續(xù)寫(xiě)操作，其區(qū)塊擦除時(shí)間短至2ms，而NOR是750ms。顯然，NAND在某些方面具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。然而，它不太適合于直接隨機(jī)存取。
對(duì)于16位的器件，NOR閃存大約需要41個(gè)I/O引腳；相對(duì)而言，NAND器件僅需24個(gè)引腳。NAND器件能夠復(fù)用指令、地址和數(shù)據(jù)總線(xiàn)，從而節(jié)省了引腳數(shù)量。復(fù)用接口的一項(xiàng)好處，就在于能夠利用同樣的硬件設(shè)計(jì)和電路板，支持較大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封裝已經(jīng)沿用多年，該功能讓客戶(hù)能夠把較高密度的NAND器件移植到相同的電路板上。NAND器件的另外一個(gè)好處顯然是其封裝選項(xiàng)：NAND提供一種厚膜的2Gb裸片或能夠支持最多四顆堆疊裸片，容許在相同的TSOP-1封裝中堆疊一個(gè)8Gb的器件。這就使得一種封裝和接口能夠在將來(lái)支持較高的密度。
NOR閃存的隨機(jī)存取時(shí)間為0.12ms，而NAND閃存的第一字節(jié)隨機(jī)存取速度要慢得多
以2Gb NAND器件為例，它由2048個(gè)區(qū)塊組成，每個(gè)區(qū)塊有64個(gè)頁(yè)
2GB NAND閃存包含2，048個(gè)區(qū)塊
?SN74AC10-Q1 汽車(chē)級(jí)三路3輸入正與非門(mén)數(shù)據(jù)手冊(cè)摘要
SN74AC10-Q1包含三個(gè)獨(dú)立的3輸入NAND門(mén)。這些器件在正邏輯中執(zhí)行布爾函數(shù) Y = A ? B ? C。
基于ZYNQ的創(chuàng)世SD NAND卡讀寫(xiě)TXT文本實(shí)驗(yàn)
在之前的介紹中，我們介紹了雷龍SDNAND卡的焊接以及用途。由于SDNAND卡具有容量大，操作簡(jiǎn)單，可插拔等的特點(diǎn)，經(jīng)常作為大容量的存儲(chǔ)介質(zhì)用來(lái)保存數(shù)據(jù)...
NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash...
SN75374 10mA/40mA 4 通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
SN75374 是一個(gè)四通道 NAND 接口電路，旨在從 TTL 輸入驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。它提供高速驅(qū)動(dòng)大型電容負(fù)載所需的高電流和電壓。 輸出...
SN75452B 具有 NAND 邏輯輸入的 30V 雙輸出驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
SN5545xB 和 SN7545xB 器件是專(zhuān)為系統(tǒng)中使用的雙外設(shè)驅(qū)動(dòng)器 采用 TTL 邏輯。該系列在功能上可與 SN75450 互換并取代 系列和以...
2025-05-15 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器NAND緩沖器 635 0
MCU ESP32-S3+SD NAND（嵌入式SD卡）：智能皮電手環(huán)（GSR智能手環(huán)）性能與存儲(chǔ)的深度評(píng)測(cè)
在智能皮電手環(huán)與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，主控MCU ESP32-S3FH4R2 與 存儲(chǔ)SD NAND MKDV2GIL-AST 的搭檔堪稱(chēng)行業(yè)新典范。二者深度融...
深度剖析 STM32?搭配 SD卡、SD NAND（貼片式T卡）存儲(chǔ)于心電監(jiān)測(cè)設(shè)備的全方位評(píng)測(cè)
在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，心電監(jiān)測(cè)設(shè)備的性能提升依賴(lài)于主芯片與存儲(chǔ)的協(xié)同工作，以及合理的 PCBA 設(shè)計(jì)。Nordic nRF52、TI MSP430、STM32...
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)...
NAND Flash與SD NAND的存儲(chǔ)扇區(qū)架構(gòu)差異
NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲(chǔ)扇區(qū)分配表都是用于管理存儲(chǔ)設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文...
Micron-MT29F系列NAND閃存規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別：IC datasheet pdf 2025-05-30 標(biāo)簽：閃存NAND
74AUP2G00低功率雙路2輸入與非門(mén)規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別：電子資料 2025-02-10 標(biāo)簽：NAND施密特觸發(fā)器與非門(mén)
74AHC132/74AHCT132四路2輸入NAND施密特觸發(fā)器規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別：電子資料 2025-01-23 標(biāo)簽：NAND施密特觸發(fā)器
74AHC132-Q100/74AHCT132-Q100四路2輸入NAND施密特觸發(fā)器規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別：電子資料 2025-01-23 標(biāo)簽：NAND施密特觸發(fā)器
EE-302：ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲(chǔ)器的接口立即下載
類(lèi)別：電子資料 2025-01-07 標(biāo)簽：NAND接口Flash存儲(chǔ)器
東芯半導(dǎo)體榮獲2025年度硬核存儲(chǔ)類(lèi)產(chǎn)品獎(jiǎng)
2025年9月11日，由業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體電子信息媒體芯師爺舉辦的第七屆“芯師爺-硬核芯年度評(píng)選活動(dòng)”順利舉行，活動(dòng)匯聚了百余家中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的知名企業(yè)、...
東芯半導(dǎo)體亮相elexcon 2025深圳國(guó)際電子展
2025年8月26-28日，深圳國(guó)際電子展在深圳會(huì)展中心即將圓滿(mǎn)落幕。本次展會(huì)集中展示AI與算力芯片、存儲(chǔ)、嵌入式AI、電源及能源電子、高性能電子元器件...
2025-09-05 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)芯片東芯半導(dǎo)體 2.2k 0
全球半導(dǎo)體變天！中國(guó)反超韓國(guó)位居全球第二
近日，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)評(píng)估與規(guī)劃研究院前瞻技術(shù)中心（KISTEP）發(fā)布的《全球半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)估報(bào)告》引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。報(bào)告顯示，中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)已超越韓國(guó)...
美光宣布：停止移動(dòng) NAND開(kāi)發(fā)，包括終止UFS5開(kāi)發(fā)
針對(duì)“美光近日中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整”一事，美光正式回應(yīng)CFM閃存市場(chǎng)： 鑒于移動(dòng) NAND 產(chǎn)品在市場(chǎng)持續(xù)疲軟的財(cái)務(wù)表現(xiàn)，以及相較于其他 NAND 機(jī)會(huì)增長(zhǎng)放...
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)分析： 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：以電信號(hào)形式長(zhǎng)...
存儲(chǔ)大廠(chǎng)MLC NAND停產(chǎn)，旺宏電子看好eMMC放量
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，存儲(chǔ)廠(chǎng)商旺宏電子表示，不會(huì)直接以MLC NAND顆粒應(yīng)對(duì)市場(chǎng)，而是以eMMC形式出貨，相關(guān)產(chǎn)品與搭配的控制器均已準(zhǔn)備就緒。M...
采用第九代QLC NAND的美光2600 NVMe SSD介紹
美光一直在QLC市場(chǎng)占有優(yōu)勢(shì)，采用美光G9 QLC NAND的美光2600 SSD再次鞏固了這一優(yōu)勢(shì)地位。
天碩工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤(pán)能不能防止高溫誤碼？
在復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中，高溫對(duì)SSD的挑戰(zhàn)尤為嚴(yán)峻。NAND閃存單元電壓偏移會(huì)導(dǎo)致誤碼率飆升，從而影響系統(tǒng)穩(wěn)定性。天碩(TOPSSD) G55 Pro M....
2025-07-23 標(biāo)簽：NANDSSD固態(tài)硬盤(pán) 412 0
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAN...
NAND 文章目錄 NAND 一、FLASH閃存是什么？ 二、SD NAND Flash 三、STM32例程 一、FLASH閃存是什么？ 簡(jiǎn)介 FLAS...
換一批
編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長(zhǎng)沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)航空路6號(hào)手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號(hào)廠(chǎng)房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號(hào)-1
