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TLM

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tlm技術(shù)

接觸電阻與TLM技術(shù)深度解密:從理論到實(shí)操,快速掌握精準(zhǔn)測(cè)量核心

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Xfilm埃利測(cè)量專(zhuān)注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測(cè)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破,致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測(cè)解決方案。公司以核心技...

2025-09-29 標(biāo)簽:測(cè)量接觸電阻TLM 312 0

高精度TLM測(cè)量技術(shù):在金屬-石墨烯接觸電阻表征中的應(yīng)用研究

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石墨烯作為最具代表性的二維材料,憑借其卓越的電學(xué)性能在高性能電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力。然而,金屬-石墨烯接觸電阻問(wèn)題一直是制約其實(shí)際應(yīng)用的瓶頸。接...

2025-09-29 標(biāo)簽:石墨烯測(cè)量TLM 161 0

金屬-半導(dǎo)體接觸電阻測(cè)量的TLM標(biāo)準(zhǔn)化研究:模型優(yōu)化與精度提升

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2025-09-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電阻測(cè)量TLM 205 0

采用傳輸線(xiàn)法(TLM)探究有機(jī)薄膜晶體管的接觸電阻可靠性及變異性

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有機(jī)薄膜晶體管(TFTs)的高頻性能受限于接觸電阻(RC),尤其是在短通道L1cm2(V?s)條件下。即使采用相同材料和工藝,接觸電阻仍存在顯著的批次間...

2025-09-29 標(biāo)簽:晶體管接觸電阻TLM 167 0

基于四點(diǎn)探針和擴(kuò)展電阻模型的接觸電阻率快速表征方法

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接觸電阻率(ρc)是評(píng)估兩種材料接觸性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)的傳輸長(zhǎng)度法(TLM)等方法在提取金屬電極與c-Si基底之間的ρc時(shí)需要較多的制造和測(cè)量步驟。而...

2025-09-29 標(biāo)簽:探針接觸電阻TLM 198 0

半導(dǎo)體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實(shí)現(xiàn)超低接觸電阻的TLM驗(yàn)證

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二維半導(dǎo)體因其原子級(jí)厚度和獨(dú)特電學(xué)性質(zhì),成為后摩爾時(shí)代器件的核心材料。然而,金屬-半導(dǎo)體接觸電阻成為限制器件性能的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體(如MoS?、...

2025-09-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體接觸電阻TLM 320 0

基于改進(jìn)傳輸線(xiàn)法(TLM)的金屬 - 氧化鋅半導(dǎo)體界面電阻分析

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傳輸線(xiàn)方法(TLM)作為常見(jiàn)的電阻測(cè)量技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè),忽略了界面缺陷、勢(shì)壘等...

2025-09-29 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體TLM 226 0

基于傳輸線(xiàn)法(TLM)的多晶 In?O?薄膜晶體管電阻分析及本征遷移率精準(zhǔn)測(cè)量

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氧化物半導(dǎo)體(如In?O?)因其高電子遷移率(>10cm2/Vs)和低漏電流特性,成為下一代顯示技術(shù)和三維集成器件的理想候選材料。然而,傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)...

2025-09-29 標(biāo)簽:電阻TLM薄膜晶體管 340 0

傳輸線(xiàn)法(TLM)優(yōu)化接觸電阻:實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管電氣性能優(yōu)化

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本文通過(guò)傳輸線(xiàn)方法(TLM)研究了不同電極材料(Ti、Al、Ag)對(duì)非晶Si-Zn-Sn-O(a-SZTO)薄膜晶體管(TFT)電氣性能的影響,通過(guò)TL...

2025-07-22 標(biāo)簽:晶體管接觸電阻TLM 668 0

液態(tài)金屬接觸電阻精確測(cè)量:傳輸線(xiàn)法(TLM)的新探索

液態(tài)金屬接觸電阻精確測(cè)量:傳輸線(xiàn)法(TLM)的新探索

液態(tài)金屬(如galinstan)因高導(dǎo)電性、可拉伸性及生物相容性,在柔性電子領(lǐng)域備受關(guān)注。然而,其與金屬電極間的接觸電阻(Rc)測(cè)量存在挑戰(zhàn):傳統(tǒng)傳輸線(xiàn)...

2025-07-22 標(biāo)簽:測(cè)量接觸電阻TLM 716 0

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tlm資訊

通過(guò)啟發(fā)式參數(shù)提取校準(zhǔn)半導(dǎo)體光放大器的 TLM 模型

通過(guò)啟發(fā)式參數(shù)提取校準(zhǔn)半導(dǎo)體光放大器的 TLM 模型

----翻譯自P. Rocha, C. M. Gallep, T. Sutili等人2018年的文章 摘要 通過(guò)大量仿真優(yōu)化了半導(dǎo)體光放大器模型的系統(tǒng)行...

2025-08-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體TLM光放大器 256 0

事務(wù)級(jí)建模使IP加速

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硬件和軟件及其交互的功能驗(yàn)證是系統(tǒng)項(xiàng)目關(guān)鍵路徑上的另一項(xiàng)任務(wù)。SoC 和軟件中不斷增加的功能范圍正在提高設(shè)計(jì)復(fù)雜性,并以指數(shù)方式推高功能驗(yàn)證成本。此外,...

2022-06-09 標(biāo)簽:芯片socTLM 1.5k 0

J?germeister采用TLM 系統(tǒng)推出多功能頂載式包裝機(jī)(TLM)的解決方案

此前,是在生產(chǎn)區(qū)外利用人工將利口酒瓶再次包裝到紙板托盤(pán)中,然后用收縮膜包裝。然而,不斷增長(zhǎng)的需求需要快速提高包裝速度,這樣就導(dǎo)致了生產(chǎn)瓶頸。除了需要更快...

2020-09-21 標(biāo)簽:機(jī)器人TLM包裝機(jī) 2.1k 0

格哈德舒伯特展示頂載式包裝技術(shù) 確保整體生產(chǎn)線(xiàn)效率

Gerhard Schubert GmbH (格哈德舒伯特公司) 將于2019年6月19日至21日在上海國(guó)際加工包裝展上展示其靈活、高效的頂載式包裝技術(shù)...

2019-05-14 標(biāo)簽:智能控制系統(tǒng)TLM模塊化機(jī)器人 2.8k 0

TLM驅(qū)動(dòng)式新方案探討

TLM驅(qū)動(dòng)式新方案探討

引言 Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司目前提供一種全面的SystemC TLM 驅(qū)動(dòng)式IP設(shè)計(jì)與驗(yàn)證解決方案,包括方法學(xué)指南、高階綜合、有TLM感知的驗(yàn)證以及...

2011-08-25 標(biāo)簽:TLM驅(qū)動(dòng)式 1.6k 0

基于TLM的驗(yàn)證

基于TLM的驗(yàn)證

  與電子產(chǎn)業(yè)的其它領(lǐng)域一樣,在設(shè)計(jì)自動(dòng)化領(lǐng)域,借助標(biāo)準(zhǔn)化,許多技術(shù)和方法學(xué)得以被廣泛接受。例如,硬件描述語(yǔ)言Verilog的標(biāo)準(zhǔn)化使得RTL綜合在80...

2010-09-30 標(biāo)簽:TLM 5k 0

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    Verilog HDL
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    Verilog HDL是一種硬件描述語(yǔ)言(HDL:Hardware Description Language),以文本形式來(lái)描述數(shù)字系統(tǒng)硬件的結(jié)構(gòu)和行為的語(yǔ)言,用它可以表示邏輯電路圖、邏輯表達(dá)式,還可以表示數(shù)字邏輯系統(tǒng)所完成的邏輯功能。
  • Maxim Integrated
    Maxim Integrated
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    在 Maxim Integrated,我們正在解決工程問(wèn)題并支持設(shè)計(jì)創(chuàng)新,使我們的客戶(hù)能夠創(chuàng)造出塑造我們世界的產(chǎn)品。我們創(chuàng)新的高性能模擬和混合信號(hào)產(chǎn)品和技術(shù)使系統(tǒng)更小、更智能,同時(shí)增強(qiáng)了安全性并提高了能源效率。
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    時(shí)鐘信號(hào)
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    時(shí)鐘信號(hào)是計(jì)算機(jī)科學(xué)以及相關(guān)領(lǐng)域用語(yǔ),時(shí)鐘信號(hào)通常被用于同步電路當(dāng)中,扮演計(jì)時(shí)器的角色,保證相關(guān)的電子組件得以同步運(yùn)作。時(shí)鐘信號(hào)是由時(shí)鐘發(fā)生器產(chǎn)生的。它有只有兩個(gè)電平,一是低電平,另一個(gè)是高電平。高電平可以根據(jù)電路的要求而不同,例如 TTL 標(biāo)準(zhǔn)的高電平是 5V。
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BLDC PLC 碳化硅 二極管 OpenAI 元宇宙 安森美 ADI
無(wú)刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
直流電機(jī) PID MOSFET 傳感器 人工智能 物聯(lián)網(wǎng) NXP 賽靈思
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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國(guó)民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂(lè)鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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