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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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cmos技術(shù)

熱成像正在成為主流嗎？

事實(shí)上，用于移動(dòng)設(shè)備的熱感相機(jī)附件正變得越來(lái)越流行，而且非常實(shí)惠，一些加固型手機(jī)甚至集成了這些附件。熱成像器開(kāi)始滲透智能家居有了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，用不了多久，...

2023-11-23 標(biāo)簽：傳感器 CMOS 熱成像 1.7k 0

3D亞納米時(shí)代，CMOS邏輯電路如何發(fā)展？

一種有些不尋常的方法是研究多層互連過(guò)程（BEOL）中的存儲(chǔ)器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此，理論上，BEOL中內(nèi)置的元件不會(huì)增加硅...

2023-11-22 標(biāo)簽：CMOS 反相器圖像傳感器 1.4k 0

全CMOS結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓源電路原理分析

本次仿真的是2018年的論文[1]，無(wú)三極管和電阻的，利用CMOS亞閾值導(dǎo)電指數(shù)特性做溫度補(bǔ)償替代三極管，極大減小了面積和功耗，能在低壓工作，溫度特性好...

2023-11-21 標(biāo)簽：CMOS 三極管仿真 3.9k 0

無(wú)三極管亞閾值CMOS基準(zhǔn)電壓源電路原理分析

本次仿真的是2006年的論文[1]，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，無(wú)三極管，利用CMOS亞閾值導(dǎo)電指數(shù)特性做溫度補(bǔ)償替代三極管，極大減小了面積和功耗，能在低壓工作，但是溫度...

2023-11-21 標(biāo)簽：CMOS 三極管仿真 2.6k 0

IV轉(zhuǎn)換信號(hào)采集前端模塊原理解析

在前面的文章里面有一個(gè)廣為流傳的原理圖，一會(huì)兒在下面會(huì)有這個(gè)圖。

2023-11-17 標(biāo)簽：CMOS 放大器原理圖 5.9k 0

關(guān)于TVS漏電流的問(wèn)題分析

　對(duì)于一些面板上的撥碼開(kāi)關(guān)等電路，為了增加抗ESD能力，通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏電流過(guò)大，以致上拉電阻上的壓降過(guò)大，從而造成高電平...

2023-11-16 標(biāo)簽：CMOS TVS TVS管 2.9k 0

工業(yè)相機(jī)拆解分析

之前預(yù)言的項(xiàng)目暫停了，為之而做的硬件設(shè)備也就暫時(shí)沒(méi)人用了，正好多出來(lái)一個(gè)工業(yè)相機(jī)，想著里面到底是什么樣子，于是乎突發(fā)奇想，拆開(kāi)來(lái)瞅瞅。

2023-11-15 標(biāo)簽：傳感器 CMOS 接口 5.7k 0

芯片制程常見(jiàn)的金屬材料及其特性

銀 (Ag)：導(dǎo)電漿料：用于某些先進(jìn)的封裝技術(shù)。電鍍：電鍍錫銀合金鎳 (Ni)：硅化物形成：與硅反應(yīng)形成鎳硅化物，用于某些接觸應(yīng)用。磁性金屬：...

2023-11-15 標(biāo)簽：芯片 CMOS 封裝技術(shù) 7.9k 0

工業(yè)相機(jī)芯片開(kāi)窗的不同模式對(duì)比

隨著工業(yè)相機(jī)的普及，大家對(duì)芯片AOI技術(shù)的認(rèn)識(shí)也越來(lái)越深刻，可是仍然有很多人弄不清楚，本文即旨在幫助大家徹底弄清楚ROI、BIN、SKIP 這幾種sen...

2023-11-13 標(biāo)簽：傳感器芯片 CMOS 4.8k 0

電壓穩(wěn)壓器XC6705系列概述和特點(diǎn)

XC6705系列是CMOS工藝高速LDO電壓穩(wěn)壓器IC，可實(shí)現(xiàn)高精度和高紋波抑制，同時(shí)低電源電流（1.2μA）。

2023-11-10 標(biāo)簽：CMOS 驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 1.7k 0

基于雙光子光刻的光學(xué)封裝方法

雙光子光刻技術(shù)能夠精確制備三維結(jié)構(gòu)，并將其精準(zhǔn)集成在光電芯片上，能夠在光纖-芯片以及芯片-芯片之間，構(gòu)建大帶寬、低損耗的光信號(hào)鏈路，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的高效互連...

2023-11-06 標(biāo)簽：芯片 CMOS 半導(dǎo)體 1.6k 0

關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹

EUV 超薄（≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚...

2023-11-06 標(biāo)簽：處理器 CMOS 存儲(chǔ)器 1.6k 0

淺談阻抗匹配（五）—傳輸線端接的分類

反射產(chǎn)生的主要原因有：過(guò)長(zhǎng)的布線、未被匹配終結(jié)的傳輸線、過(guò)量的電容和電感等本質(zhì)均為阻抗失配。

2023-11-03 標(biāo)簽：CMOS 驅(qū)動(dòng)器阻抗匹配 3.5k 0

瞻芯電子全新升級(jí)雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504介紹

近日，瞻芯電子推出了一款全新升級(jí)的雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504，它延續(xù)了經(jīng)典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、緊湊的特點(diǎn)，并將拉灌電流峰值由4A...

2023-11-03 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 功率器件 1.9k 0

一種Inverter-Based CTLE以解決傳統(tǒng)CTLE的不足

傳統(tǒng)CML結(jié)構(gòu)的CTLE基于源極退化電阻電容實(shí)現(xiàn)均衡，當(dāng)速度提高到56Gb/s或者112Gb/s時(shí)CML-based CTLE面臨速度、面積、功耗的巨大壓力

2023-10-31 標(biāo)簽：CMOS 晶體管 DSP芯片 6.3k 0

BCD工藝憑什么成為主流？

BCD工藝是1986年由ST首次推出的一種單晶片集成工藝技術(shù)，這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar，CMOS和DMOS 器件，它的出現(xiàn)大大地...

2023-10-31 標(biāo)簽：集成電路 CMOS JFET 2.8k 0

一種基于Transformer結(jié)構(gòu)的VCO介紹

常規(guī)LCVCO由電感、電容、負(fù)阻、偏置組成，每個(gè)模塊有很多種實(shí)現(xiàn)方式，下面給介紹一下各模塊設(shè)計(jì)時(shí)的注意事項(xiàng)。

2023-10-31 標(biāo)簽：CMOS 濾波器 VCO 3.6k 0

CMOS器件的輸入信號(hào)上升時(shí)間為什么不能太長(zhǎng)？

CMOS器件的輸入信號(hào)上升時(shí)間或下降時(shí)間統(tǒng)稱為輸入轉(zhuǎn)換時(shí)間，輸入轉(zhuǎn)換時(shí)間過(guò)長(zhǎng)也稱為慢CMOS輸入。如果輸入信號(hào)上升時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，超過(guò)器件手冊(cè)允許的最大輸入轉(zhuǎn)...

2023-10-31 標(biāo)簽：CMOS 反相器晶體管 2.8k 0

CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理

本文介紹了CMOS器件輸入、輸出級(jí)電路所含CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理，從理論上分析了CMOS器件的靜態(tài)功耗是0。然后分析了實(shí)際CMOS器件靜態(tài)電...

2023-10-31 標(biāo)簽：CMOS 二極管反相器 8.8k 0

【模擬電路設(shè)計(jì)】輸入偏置電流

對(duì)于新手或者從事芯片封裝行業(yè)的人員經(jīng)常拿到運(yùn)放的技術(shù)手冊(cè)不會(huì)看，我們最近就以LM741 Operational Amplifier來(lái)進(jìn)行講解

2023-10-30 標(biāo)簽：CMOS ESD 運(yùn)算放大器 1.5k 0

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寒武紀(jì)是目前國(guó)際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見(jiàn)的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場(chǎng)占上風(fēng)。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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Haswell

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
iPhone6S

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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。

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