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標(biāo)簽 > ddr4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
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安捷倫推出完整的DDR4相容性測(cè)試應(yīng)用軟件
安捷倫科技(Agilent Technologies)為採(cǎi)用雙倍資料速率4記憶體的系統(tǒng),推出業(yè)界首款相容性測(cè)試應(yīng)用軟體。Agilent N6462A ...
預(yù)計(jì)下一代DDR4內(nèi)存將在2015年普及
據(jù)VR報(bào)道,英特爾將推出支持DDR4的高端CPU產(chǎn)品,預(yù)計(jì)到2015年我們才會(huì)在桌面系統(tǒng)看到下一代的DDR4產(chǎn)品。Haswell四核系統(tǒng)目前已經(jīng)可以達(dá)到...
美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS”或成DDR4基石
美光科技今天表示,正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作,爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化,并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
美光JEDEC合作制定3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)或成DDR4技術(shù)
美光科技今天表示,正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作,爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化,并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
JEDEC即將完成DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì),全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)...
2011-08-24 標(biāo)簽:DDR4JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) 2.2k 0
三星歷史首款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)完成
三星電子今天宣布,已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā),并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。
DDR4,什么是DDR4 DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)...
2010-03-24 標(biāo)簽:DDR4 3.8k 1
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