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      標簽　>　dft

      dft

      +關(guān)注2人關(guān)注

      離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過它把信號從時間域變換到頻率域，進而研究信號的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

      文章：199個 瀏覽：23792次 帖子：24個

      dft技術(shù)

      超薄羥基化二氧化硅離子篩實現(xiàn)均勻的鋅離子分布和沉積

      水系鋅離子電池(AZIB)由于其低成本、與水性電解質(zhì)兼容以及高理論容量，已被視為鋰離子電池(LIB)的有前途的替代品，尤其是在大規(guī)模電網(wǎng)儲能領(lǐng)域具有巨大的優(yōu)勢。

      2022-12-06 標簽：鋰離子電池電解液DFT 2.6k 0

      下一代鋰電池高性能正極材料的設(shè)計思路-離子交換法

      下一代鋰電池高性能正極材料的設(shè)計思路-離子交換法

      層狀氧化物正極材料中如高鎳三元材料和富鋰材料，由于其優(yōu)良的鋰離子傳輸特性、高能量密度和相對較低的成本，已被廣泛用于鋰離子電池。

      2023-05-15 標簽：鋰離子電池電解質(zhì)DFT 2.6k 0

      解析什么是DFT友好的功能ECO？

      解析什么是DFT友好的功能ECO？

      DFT是確保芯片在制造過程中具有可測試性的一種技術(shù)。DFT友好的ECO是指在進行ECO時， 不會破壞芯片的DFT功能或降低DFT覆蓋率的設(shè)計方法。DFT...

      2023-05-05 標簽：芯片寄存器DFT 2.6k 0

      Lightelligence使用Cadence Xcelium多核加速DFT仿真

      Lightelligence使用Cadence Xcelium多核加速DFT仿真

      當今片上系統(tǒng)的設(shè)計復雜性日益增加，可能導致長達數(shù)小時、數(shù)天甚至數(shù)周的可測試性 （DFT） 仿真設(shè)計。由于這些往往發(fā)生在專用集成電路（ASIC）項目結(jié)束時...

      2023-04-20 標簽：集成電路仿真DFT 2.6k 0

      用晶面工程方法設(shè)計具有高容量和快速電化學動力學的MOF基電極

      金屬有機骨架(MOFs)作為一種有前途的電極材料，越來越受到科研界的關(guān)注。但是，大多數(shù)研究中都是直接使用MOF電極作為電極材料而不進行任何修飾。

      2022-10-24 標簽：電容器堿性電池PFC 2.6k 0

      通過電化學和化學方法進行LiFePO4的預鋰化

      磷酸鐵鋰(LiFePO4)因其低成本和高循環(huán)穩(wěn)定性而被廣泛用作儲能鋰離子電池的正極材料。

      2022-12-30 標簽：鋰離子電池加速器DFT 2.6k 0

      富含缺陷的2D介孔Mo-Co-O納米片助力析氧電催化

      尺寸較小的2D納米材料還可以提供更多的邊緣活性位點，因此通過2D納米材料的尺寸調(diào)控也能夠提高催化性能。在2D氧化物納米材料中引入缺陷

      2022-11-03 標簽：DFTTOF 2.5k 0

      缺陷誘導致密非晶/晶相異質(zhì)結(jié)實現(xiàn)快速穩(wěn)定儲鈉

      該工作結(jié)合先進的實驗研究與密度泛函理論（DFT）計算，探索了V2O3異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)形成強協(xié)同效應的致密A/C界面的機理和Na+擴散的動力學機制，并將A/C-...

      2022-11-07 標簽：電解質(zhì)DFT鈉離子電池 2.5k 0

      Ti3C2 MXenes上的氧化物納米團簇鈍化缺陷以增強鋰離子存儲性能

      MXenes作為鋰離子電池負極的商業(yè)化在很大程度上受到低初始庫侖效率（ICE）和不利的循環(huán)穩(wěn)定性的阻礙，這與Ti3C2 MXene 上的Ti空位(VTi...

      2023-01-03 標簽：鋰離子電池電解質(zhì)DFT 2.5k 0

      介紹一種新型的可充電鋅-肼(Zn-Hz)電池

      氫(H2)具有高能量密度和零排放污染的優(yōu)點，被認為是傳統(tǒng)化石燃料的理想替代品。電解水是一種不排放二氧化碳、生產(chǎn)高純度H2 (95%)的有效方法。

      2022-10-27 標簽：充放電DFTEDS 2.5k 0

      如何使用DFT App進行硬件加速仿真設(shè)計

      如何使用DFT App進行硬件加速仿真設(shè)計

      DFT 可以降低通過問題器件的風險，如果最終在實際應用中才發(fā)現(xiàn)器件有缺陷，所產(chǎn)生的成本將遠遠高于在制造階段發(fā)現(xiàn)的成本。它還能避免剔除無缺陷器件，從而提高...

      2019-09-16 標簽：edaDFT 2.5k 0

      原位磁性測試揭示過渡金屬化合物儲鋰/儲鈉性能差異根源

      鋰離子（Li+）、鈉離子（Na+）等單價堿金屬離子是可充電二次電池中具有重要現(xiàn)實意義的基本電荷載體，為全球現(xiàn)代化建設(shè)奠定了基礎(chǔ)。

      2023-04-19 標簽：鋰離子電池DFT鈉離子電池 2.5k 0

      聚苯并咪唑助力高性能富鹽體系聚合物電解質(zhì)鋰離子電池

      近年來，“鹽中聚合物”的概念備受關(guān)注。在傳統(tǒng)的聚合物固態(tài)電解質(zhì)中，鋰鹽所占比例低于主要的聚合物基體，可統(tǒng)稱為“聚合物中鹽”體系。

      2023-04-11 標簽：鋰離子電池DFTDSC 2.4k 0

      相結(jié)工程觸發(fā)內(nèi)置電場助力-30℃快充電池

      相結(jié)工程觸發(fā)內(nèi)置電場助力-30℃快充電池

      快速充電鋰離子電池在低溫（<30℃）下的高運行能力對于寒冷地區(qū)電網(wǎng)的頻率調(diào)節(jié)和峰值負荷轉(zhuǎn)換至關(guān)重要。

      2023-05-04 標簽：鋰離子電池充電電池DFT 2.4k 0

      將廢正極材料升級為高穩(wěn)定性鋰硫電池的雙功能催化劑！

      將廢正極材料升級為高穩(wěn)定性鋰硫電池的雙功能催化劑！

      鋰硫（Li-S）電池是由一系列逐步轉(zhuǎn)換氧化還原反應充放電的，由于其低成本、高比容量和環(huán)境可持續(xù)性，在其他電化學器件中脫穎而出，然而，鋰多硫化物（LiPS...

      2024-05-11 標簽：正極材料DFT鋰硫電池 2.4k 0

      關(guān)于SpyGlass安裝步驟

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      SpyGalss是目前業(yè)界唯一可靠的RTL Sign off解決方案，可以幫助客戶在設(shè)計早期發(fā)現(xiàn)潛在問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量，極大的減少設(shè)計風險，降低設(shè)計成本。

      2023-11-09 標簽：DFT 2.4k 0

      手機芯片為啥這么燒錢？

      手機芯片為啥這么燒錢？

      芯片就像手機的大腦，我們將輸入信號作為原材料輸入手機，通過改變芯片內(nèi)部的走線、邏輯，就能對輸入信號實現(xiàn)不同的處理方式。

      2023-06-01 標簽：晶圓晶體管DFT 2.4k 0

      DFT的簡單介紹（上）

      DFT全稱為Design for Test，可測性設(shè)計。就是說我們設(shè)計好一個芯片后，在仿真時可能99%的用例都通過了，怎么保證流片出來的實際芯片也能正常工作呢？

      2023-12-06 標簽：DFTATEGDS 2.3k 0

      材料科學邁向AI4Materials的關(guān)鍵因素（上）

      材料科學邁向AI4Materials的關(guān)鍵因素（上）

      材料的結(jié)構(gòu)直接決定了其物理和化學性質(zhì)，這種關(guān)系也常稱之為“構(gòu)效關(guān)系”。如何快速有效地建立起這種“構(gòu)效關(guān)系”是探索和設(shè)計新型功能材料的關(guān)鍵。

      2023-12-29 標簽：人工智能石墨烯DFT 2.3k 0

      高效太陽能電池的配體錨定誘導定向晶體生長

      窄帶隙 (≈1.2 eV) Pb-Sn 合金鈣鈦礦太陽能電池是一種有前途的全鈣鈦礦串聯(lián)器件底部組件電池，有望提供比單結(jié)太陽能電池的理論Shockley-...

      2023-04-01 標簽：太陽能電池ADI芯片UPS 2.3k 0

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        云儲存
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        云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應用技術(shù)等內(nèi)容。
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        +關(guān)注
        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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        非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        合肥長鑫
        +關(guān)注
        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
      • NOR flash
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        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
      • nvme
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        +關(guān)注
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        　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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        +關(guān)注
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      • nosql
        nosql
        +關(guān)注
        　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
      • 安博會
        安博會
        +關(guān)注
      • 云盤
        云盤
        +關(guān)注
        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
      • V-NAND
        V-NAND
        +關(guān)注
      • FORESEE
        FORESEE
        +關(guān)注
        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
      • 長鑫存儲
        長鑫存儲
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        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
      • Ceph
        Ceph
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      數(shù)字隔離器 ESD 保護 收發(fā)器 橋接器 多路復用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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