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標(biāo)簽 > esd保護(hù)

esd保護(hù)

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  ESD保護(hù)即防止靜電釋放對對電子設(shè)備造成電流熱(火花)效應(yīng)(如靜電引起的著火與爆炸)及和電磁效應(yīng)(如電磁干擾)等。

文章:124 瀏覽:27900 帖子:9

esd保護(hù)技術(shù)

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這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減小占用空間。該技術(shù)能夠取...

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CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

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這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代...

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CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

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這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并...

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CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊

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這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)...

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TPD4E001-Q1 器件是一款低電容 TVS 二極管陣列,設(shè)計用于在連接到通信線路的敏感電子設(shè)備中提供 ESD 保護(hù)。每個通道由一對瞬態(tài)電壓抑制二極...

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esd保護(hù)二極管的作用是什么

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esd保護(hù)二極管怎么測量

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esd保護(hù)二極管是什么二極管

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2024-09-14 標(biāo)簽:二極管電子設(shè)備ESD保護(hù) 2k 0

esd保護(hù)二極管是否有極性

ESD保護(hù)二極管是否有極性,取決于其具體的類型和設(shè)計 。一般來說,ESD保護(hù)二極管可以分為無極性和有極性兩種類型。 無極性ESD保護(hù)二極管 特點(diǎn) :這類...

2024-09-14 標(biāo)簽:二極管電流電子設(shè)備 2.3k 0

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