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標(biāo)簽 > esd
ESD(Electro-Static discharge)的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀(jì)中期以來形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護等的學(xué)科。因此,國際上習(xí)慣將用于靜電防護的器材統(tǒng)稱為ESD,中文名稱為靜電阻抗器。
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PCBA加工過程中,靜電防護是至關(guān)重要的,在PCBA加工生產(chǎn)中,做好靜電防護,可以有效得保護電子元器件,保障貼片的品質(zhì)
電路的設(shè)計中存在很多 電磁干擾(EMI) 問題, 去耦電容 的應(yīng)用場景就是減小電磁干擾,這一過程衍生出了另一個概念—— 電磁兼容(EMC) 。
介紹一款自適應(yīng)調(diào)整、數(shù)字輸出的旋轉(zhuǎn)位置齒輪傳感器MLX90217
MLX90217 是一款自適應(yīng)調(diào)整、數(shù)字輸出的旋轉(zhuǎn)位置齒輪傳感器,可應(yīng)用于汽車凸輪軸傳感器以及其它速度傳感器。
2022-10-19 標(biāo)簽:ESDAD轉(zhuǎn)換器速度傳感器 2.5k 0
測試電子產(chǎn)品必須按照IEC61000-4-2等標(biāo)準(zhǔn)來。系統(tǒng)設(shè)計師采用多種方法來確保產(chǎn)品符合主流的ESD標(biāo)準(zhǔn),包括解決外殼設(shè)計、電路板設(shè)計、元件選擇,甚至...
在電子行業(yè)中,靜電放電(簡稱ESD)對產(chǎn)品的危害是極大的。特別是在干燥的冬天,有時候你的電路突然就工作不正常了,然后找原因突然發(fā)現(xiàn)某個元件不知所以的壞掉...
每當(dāng)我們做好了core的電路和版圖,下一步就是設(shè)計pad ring了。對于第一次接觸pad ring的同學(xué)來說,這個概念可能會有點陌生。
某工業(yè)顯示屏在進行ESD靜電放電測試時,對網(wǎng)口、USB、串口打±6kV接觸放電,每次試驗系統(tǒng)液晶屏出現(xiàn)藍(lán)屏現(xiàn)象,系統(tǒng)死機,重新上電后可以恢復(fù),實驗不通過。
如果沒有適當(dāng)?shù)谋Wo,USB Type-C 連接器中的 ESD 或碎屑可能會導(dǎo)致用戶日常依賴的貴重消費電子產(chǎn)品出現(xiàn)現(xiàn)場故障。
esd防護基本原則與esd防護的基本方法 ESD防護設(shè)計要點
ESD是怎樣產(chǎn)生的? (1)摩擦、剝離起電;——哪里有運動,哪里就有靜電! (2)感應(yīng)起電; 感應(yīng)起電是物體在靜電場的作用下,發(fā)生了的電荷上再分布的現(xiàn)象...
感應(yīng)起電是物體在靜電場的作用下,發(fā)生了的電荷上再分布的現(xiàn)象。比如:一個設(shè)備加電工作的過程中,產(chǎn)生了一定的電磁場,外圍的物體受場的作用會感應(yīng)出部分電荷,如...
感應(yīng)起電是物體在靜電場的作用下,發(fā)生了的電荷上再分布的現(xiàn)象。比如:一個設(shè)備加電工作的過程中,產(chǎn)生了一定的電磁場,外圍的物體受場的作用會感應(yīng)出部分電荷,如...
電路保護的意義是什么? 10大常用電路保護元器件背后的那些門道
電子電路很容易在過壓、過流、浪涌等情況發(fā)生的時候損壞,隨著技術(shù)的發(fā)展,電子電路的產(chǎn)品日益多樣化和復(fù)雜化,而電路保護則變得尤為重要。電路保護元件也從簡單的...
PCB在各種電子設(shè)備中作用和功能 PCB設(shè)計的ESD抑止
PCB(PrintedCircuitBoard),中文名稱為印制電路板,又稱印刷電路板、印刷線路板,是重要的電子部件,是電子元器件的支撐體,是電子元器件...
ESD應(yīng)該是EMC中最常見也是遇到問題最多的測試項,許多硬件工程師遇到試驗Fail時,無從下手,今天就來談?wù)凟SD分析與整改的理論基礎(chǔ),不涉及實際案例應(yīng)用。
對于電源等速率不高的連接器輸入端通常會使用Cx=100nF/50V規(guī)格的電容。IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn) Cd=150pF,Rd=330Ω,根據(jù)Q=C...
如何防止靜電放電損傷呢?首先當(dāng)然改變壞境從源頭減少靜電(比如減少摩擦、少穿羊毛類毛衣、控制空氣溫濕度等)。
EMI全稱Electromagnetic Interference,即電磁干擾,指電子設(shè)備在自身工作過程中產(chǎn)生的電磁波,對外發(fā)射并對設(shè)備其它部分或外部其...
正確理解ESD單元在一個器件中是如何實現(xiàn)的,設(shè)計人員就能通過適當(dāng)?shù)碾娐吩O(shè)計大大擴展放大器的生存范圍。
NBTI是指在較高溫度和負(fù)偏壓下,pMOS界面處的Si-H鍵斷裂產(chǎn)生界面陷阱,柵氧化層陷阱也會俘獲空穴,這些都會引起pMOS閾值電壓漂移,導(dǎo)致電路因時序...
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