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標(biāo)簽 > fet
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔摘要
TPS7H60x5 系列抗輻射性 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 2.1k 0
?TPS4816-Q1 高邊開關(guān)控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS4816-Q1 是一系列具有保護(hù)和診斷功能的低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V 至 95V 的寬工作電壓范圍(100V 絕對最大額定值...
?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強(qiáng)化GaN FET柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS7H60x5 系列抗輻射性 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽:ldoFET場效應(yīng)晶體管 1.9k 0
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括...
2025-09-26 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 1.8k 0
?TPS2HC08-Q1 雙通道汽車智能高邊開關(guān)技術(shù)文檔摘要
TPS2HC08-Q1是一款雙通道智能高側(cè)開關(guān),集成了NMOS功率FET和電荷泵,旨在滿足12V汽車電池系統(tǒng)的要求。低RON(9.4mΩ)可最大程度地降...
TPS1HC100-Q1智能高側(cè)開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS1HC100-Q1智能高壓側(cè)開關(guān)是一款具有全方位保護(hù)的高側(cè)電源開關(guān),它集成有NMOS功率FET和電荷泵,專用于...
2025-09-25 標(biāo)簽:NMOS電源開關(guān)FET 289 0
?TPS543021同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS543021是一個 4.5V 至 28V 輸入電壓范圍、3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包括兩個集成開關(guān) FET、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償和 5ms 內(nèi)部軟啟動,...
TPS16530 58V 4.5A電子保險絲技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS16530 58V 4.5A電子保險絲是一款簡單易用的正極電子保險絲,具有31mΩ集成FET。該器件可為負(fù)載、...
基于LMG342XEVM-04X半橋子卡的GaN功率器件設(shè)計與應(yīng)用
TTexas Instruments LMG342xEVM-04x子板將兩個LMG342xR0x0 GaN FET配置在一個半橋中,具有鎖存過流保護(hù)功能...
突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應(yīng)用
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管(FET)集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能,可使設(shè)計人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率...
2025-09-19 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管GaN 369 0
基于DRV8316的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動技術(shù)解析
Texas Instruments DRV8316/DRV8316-Q1三相集成FET電機(jī)驅(qū)動器是一款單芯片功率級解決方案,專為驅(qū)動12V無刷直流電機(jī)而...
2025-09-15 標(biāo)簽:三相FET電機(jī)驅(qū)動器 459 0
TPS22811負(fù)載開關(guān)評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS22811EVM負(fù)載開關(guān)評估模塊 (EVM) 支持對TPS22811負(fù)載開關(guān)進(jìn)行參考電路評估。TPS22811...
2025-09-12 標(biāo)簽:可編程負(fù)載開關(guān)FET 424 0
基于LMG3422EVM-041半橋子卡的GaN功率模塊設(shè)計與應(yīng)用
Texas Instruments LMG3422EVM-041半橋子卡在半橋中配置兩個LMG3422R050 GaN FET。它具有鎖存過流保護(hù)功能和...
?TPS61165 高亮度白光LED驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS61165器件采用額定值40 V的集成開關(guān)FET,是一個串聯(lián)驅(qū)動LED的升壓轉(zhuǎn)換器。升壓轉(zhuǎn)換器以 1.2 MHz的固定開關(guān)頻率和1.2 A的開關(guān)...
2025-09-04 標(biāo)簽:led驅(qū)動器升壓轉(zhuǎn)換器FET 669 0
TPS61161 白光 LED 驅(qū)動器技術(shù)手冊
TPS61160和TPS61161具有40 V額定值集成開關(guān)FET,是串聯(lián)驅(qū)動LED的升壓轉(zhuǎn)換器。升壓轉(zhuǎn)換器以600kHz固定開關(guān)頻率運(yùn)行,以減少輸出紋...
2025-09-04 標(biāo)簽:LED升壓轉(zhuǎn)換器FET 542 0
TPS61160 白光LED驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊的核心內(nèi)容總結(jié)
TPS61160和TPS61161具有40 V額定值集成開關(guān)FET,是串聯(lián)驅(qū)動LED的升壓轉(zhuǎn)換器。升壓轉(zhuǎn)換器以600kHz固定開關(guān)頻率運(yùn)行,以減少輸出紋...
2025-09-04 標(biāo)簽:led驅(qū)動器升壓轉(zhuǎn)換器FET 518 0
?TPS25961 100mΩ電子保險絲技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS25961 100mΩ電子保險絲是一款集成式FET熱插拔器件,可創(chuàng)建高度集成的電路保護(hù)和電源管理解決方案。TP...
TPS25961EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS25961EVM評估模塊配置用于評估TPS25961電子保險絲的運(yùn)行情況。TPS25961 100mΩ電子保險...
TPS61160A 白光LED驅(qū)動器,具有PWM亮度控制技術(shù)手冊
TPS61160A/61A采用額定電壓為40V的集成開關(guān)FET,是一款串聯(lián)驅(qū)動LED的升壓轉(zhuǎn)換器。升壓轉(zhuǎn)換器以 600kHz 固定開關(guān)頻率運(yùn)行,以減少輸...
2025-09-02 標(biāo)簽:PWM升壓轉(zhuǎn)換器FET 371 0
?TPS61160A/TPS61161A 白光LED驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS61160A/61A采用額定電壓為40V的集成開關(guān)FET,是一款串聯(lián)驅(qū)動LED的升壓轉(zhuǎn)換器。升壓轉(zhuǎn)換器以 600kHz 固定開關(guān)頻率運(yùn)行,以減少輸...
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