標(biāo)簽 > finfet存儲(chǔ)器
文章:3個(gè) 瀏覽:4686次
與平面工藝相比,F(xiàn)inFET的復(fù)雜性一般會(huì)導(dǎo)致更加昂貴的制造工藝,F(xiàn)inFET降低了工作電壓,提高了晶體管效率,對(duì)靜態(tài)功耗(線性)和動(dòng)態(tài)功耗(二次方)都有積極作用??晒?jié)省高達(dá)50%的功耗。性能也更高——在0.7V上,性能(吞吐量)比平面工藝高37%。
超高頻段 3400 至 3800 MHz 2.4-2.5 GHz 28 dBm W 2 GHz、256 QAM 低噪聲放大器 SkyOne? Ultra 2.0 功率 雙頻功率放大器模塊,適用于 CDMA20 用于 WCDMA / HSDPA / H 用于 WCDMA/ HSDPA/ HSU SkyHi? 雙頻功率放大器模塊,適用于 用于五頻 FDD LTE / TD-SC 用于 CDMA/ WCDMA/ HSDP 用于 CDMA/ WCDMA/ HSDP 用于 LTE 頻段 13/14 (777
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長(zhǎng)沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號(hào)手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號(hào)廠房3層(0731-88081133)