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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

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鐵電存儲器有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲器技術(shù)，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢在存儲市場中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技...

2024-09-29 標(biāo)簽：FlaSh fram 鐵電存儲器 3k 0

FM25xxx FRAM存儲器的驅(qū)動設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用

在我們的項(xiàng)目中，時(shí)常會有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存...

2022-12-08 標(biāo)簽：存儲器 fram 驅(qū)動設(shè)計(jì) 2.9k 0

MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）有何區(qū)別

MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。

2024-01-09 標(biāo)簽：電容器存儲器數(shù)據(jù)存儲 2.6k 0

FM24xxx系列FRAM存儲器的驅(qū)動設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

雖然說使用EEPROM保存參數(shù)很有效，但操作及使用次數(shù)均有一下限制。當(dāng)我們的一些參數(shù)需要不定時(shí)修改或存儲時(shí)，使用FRAM就更為方便一點(diǎn)。這一節(jié)我們就來設(shè)...

2022-12-08 標(biāo)簽：存儲器 fram 驅(qū)動設(shè)計(jì) 2.5k 0

4Mb的容量、54MBps的速度……是的，它創(chuàng)造了新的最高紀(jì)錄！

富士通電子元器件近日宣布成功開發(fā)具有4 Mbit記憶容量的、帶有高速Q(mào)SPI接口的全新FRAM產(chǎn)品MB85RQ4ML，此產(chǎn)品在同類競品中擁有最高密度和最...

2017-03-27 標(biāo)簽：fram 2.3k 0

在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案

鐵電隨機(jī)存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。

2012-10-08 標(biāo)簽：閃存 FRAM RFID標(biāo)簽 2.2k 0

應(yīng)用于MCU系統(tǒng)的FRAM技術(shù)

請注意，處理器內(nèi)部的專用硬件塊利用了一種稱為 ARM 信任區(qū)的技術(shù)，該技術(shù)使用架構(gòu)分區(qū)將中斷、內(nèi)存映射區(qū)域甚至 I/O 映射區(qū)域分隔到指定的訪問區(qū)域。

2022-08-03 標(biāo)簽：mcu 存儲器 fram 2.2k 0

圓我“鐵電夢”，關(guān)于FRAM網(wǎng)友有話說！

近幾年，F(xiàn)RAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得...

2017-03-24 標(biāo)簽：fram mb85rc256v 2.2k 0

FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表中的應(yīng)用及發(fā)展

與傳統(tǒng)非易失性存儲器相比，F(xiàn)RAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對于類似的寫入，F(xiàn)RAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時(shí)間是EE...

2017-03-29 標(biāo)簽：fram 2.1k 0

FRAM不怕輻射，解決醫(yī)療應(yīng)用難題！

今天，像EEPROM和SRAM這些標(biāo)準(zhǔn)存儲器器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫(yī)療專家對助聽器噪聲，或是需要更換所用設(shè)...

2017-03-28 標(biāo)簽：醫(yī)療電子 fram 2.1k 0

FRAM RFID應(yīng)用案例大放送！

上一篇文章我們介紹了嵌入了FRAM的RFID相比傳統(tǒng)嵌入EEPROM的RFID的優(yōu)勢。這篇文章我們將介紹FRAM RFID的具體應(yīng)用。

2017-03-28 標(biāo)簽：rfid fram 2k 0

MRAM與FRAM技術(shù)有何差異

FRAM中的讀取操作具有破壞性，因?yàn)樗枰袚Q極化狀態(tài)才能感知其狀態(tài)。在初始讀取之后，讀取操作必須將極化恢復(fù)到其原始狀態(tài)，這會增加讀取時(shí)間的周期。

2020-06-04 標(biāo)簽：存儲器 fram MRAM 2k 0

FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創(chuàng)新存儲技術(shù)串起關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲一攬子解決方案

《華爾街日報(bào)》前不久的一篇文章指出，近年來智能手機(jī)、PC、平板電腦等設(shè)備的進(jìn)化并沒有以往那么快速，不過它們正以新的方式推進(jìn)創(chuàng)新，硬件廠商更多針對特定任務(wù)...

2017-07-18 標(biāo)簽：fram reram 2k 0

在高端醫(yī)療設(shè)備中，F(xiàn)RAM有著100%的應(yīng)用！

傳統(tǒng)的閃存和EEPROM等存儲器是利用電荷注入來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的，而FRAM是利用外部電場產(chǎn)生極化來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的，因此它與傳統(tǒng)存儲器相比，不易α射線，x...

2017-03-28 標(biāo)簽：fram 2k 0

新一代存儲技術(shù)特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展介紹

目前具有突破性的存儲技術(shù)有鐵電RAM（FRAM）、磁性RAM（MRAM）、相變RAM（PRAM）或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展。

2016-04-22 標(biāo)簽：存儲技術(shù)FRAM MRAM 1.9k 0

FRAM的基本特點(diǎn)、存儲方式及在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用

存儲歷史數(shù)據(jù)的存儲器大家都比較容易選擇，目前大容量的Flash和U盤，很多廠商都能提供。最難的是汽車的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的存儲器比較難選擇，因?yàn)閷?shí)時(shí)數(shù)據(jù)比歷史數(shù)據(jù)...

2020-04-06 標(biāo)簽：汽車電子存儲 fram 1.9k 0

FRAM在汽車電子中的應(yīng)用方案TOP4

FRAM還可在大多數(shù)汽車子系統(tǒng)中用于非易失性數(shù)據(jù)記錄，如智能安全氣囊、穩(wěn)定控制、動力傳動機(jī)構(gòu)、儀表盤儀表、電池管理、發(fā)動機(jī)控制和娛樂信息節(jié)目應(yīng)用，且能夠...

2016-02-25 標(biāo)簽：FRAM BMS 行車記錄儀 1.8k 0

多圖|FRAM特性那么多，我想去看看！

FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特...

2017-03-28 標(biāo)簽：fram 1.8k 0

訪談：鐵電存儲器助富士通半導(dǎo)體拓展多領(lǐng)域應(yīng)用

在以往產(chǎn)品開發(fā)過程中，大量的數(shù)據(jù)采集對于工程師來說一直是件頭疼的事情。數(shù)據(jù)需要不斷地高速寫入，傳統(tǒng)的存儲技術(shù)如EERPOM、Flash的寫入壽命和讀寫速...

2017-03-29 標(biāo)簽：fram 1.7k 0

首款對非易失性數(shù)據(jù)存儲的單芯片存儲技術(shù)——FRAM

在許多較早期的系統(tǒng)中，代碼存儲使用ROM或者OTP-EPROM，它們是非易失性的且不能在系統(tǒng)中進(jìn)行修改。因此，設(shè)計(jì)上的主要問題是存儲器的大小、存取時(shí)間，...

2019-04-21 標(biāo)簽：嵌入式系統(tǒng)存儲技術(shù)數(shù)據(jù)存儲 1.7k 0

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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