柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源注意事項(xiàng)

氮化鎵 （GaN） 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 （EV） 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)...

2022-10-14 標(biāo)簽：GaN偏置電源柵極驅(qū)動(dòng)器 3.7k 0

通過將GAN和AR技術(shù)結(jié)合，真的能把素面吃出拉面味！

對(duì)于食物到食物的圖像轉(zhuǎn)換，這里用了基于 StarGAN 的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)，實(shí)時(shí)運(yùn)行。因此，該系統(tǒng)可以根據(jù)原始食物的變化，動(dòng)態(tài)并且可交互地進(jìn)行操作。此外，因?yàn)槭?..

2019-03-18 標(biāo)簽：圖像GaNAR技術(shù) 3.7k 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。

2023-03-28 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 3.7k 0

GaN MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及原理

GaN MOSFET（氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...

2024-07-14 標(biāo)簽：MOSFETGaN金屬 3.7k 0

氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)！

傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 3.7k 0

藝術(shù)創(chuàng)作過程中與生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)碰撞出的火花

那么你的角色是什么呢？輕微調(diào)整游戲規(guī)則（網(wǎng)絡(luò)的超參數(shù)），成為了美術(shù)館館長（curator）。作為館長你要從GAN的輸出中進(jìn)行挑選，因?yàn)镚AN會(huì)生成很多不...

2018-09-17 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN機(jī)器學(xué)習(xí) 3.6k 0

關(guān)于GAN模型我們還要可以深入了解、探討哪些問題？

大多數(shù) GAN 研究都廣泛應(yīng)用于圖像合成。特別是在部分標(biāo)準(zhǔn)圖像數(shù)據(jù)集上訓(xùn)練 GAN，如 MNIST，CIFAR-10，STL-10，CelebA和Ima...

2019-05-05 標(biāo)簽：GaN模型數(shù)據(jù)集 3.6k 0

AI正在創(chuàng)造一個(gè)獨(dú)特的虛擬（虛假）信息世界

除了眾所周知的 Deepfake 這樣的換臉技術(shù)外，今天要介紹的是與人們息息相關(guān)的指紋，它被廣泛應(yīng)用于指紋鎖、手機(jī)、安檢等應(yīng)用場(chǎng)景中，有極高的安全等級(jí)。...

2019-02-27 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaNai技術(shù) 3.6k 0

GAN又開辟了新疆界，MirrorGAN有多強(qiáng)？

與基本圖像生成問題相反，T2I生成以文本描述為條件，而不是僅從噪聲開始。利用GAN的強(qiáng)大功能，業(yè)界已經(jīng)提出了不同的T2I方法來生成視覺上逼真的和文本相關(guān)...

2019-03-18 標(biāo)簽：GaN鑒別器數(shù)據(jù)集 3.5k 0

使用氮化鎵(GaN)提高電源(PSU)能效

提高能效一直是電源制造商的一個(gè)長期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”，因?yàn)檫@不僅降低運(yùn)行成本，而且減少了以熱的形式浪費(fèi)能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...

2022-04-27 標(biāo)簽：安森美氮化鎵GaN 3.5k 0