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gan技術

在高密度GaN優(yōu)化型PFC轉換器中解決交流壓降恢復問題

歡迎再次來到我們的技術專欄——模擬芯視界。在上一期中，我們介紹了 EMI（特別是輻射發(fā)射）的來源，以及一系列旨在減少模擬信號鏈的 EMI 的技術，包括詳...

2024-07-08 標簽：轉換器德州儀器 GaN 1k 0

瑞薩電子氮化鎵場效應晶體管的優(yōu)勢

氮化鎵場效應晶體管是當今電力電子領域的明星，它正在提高功率轉換效率、電機控制和功率密度，有效滿足當前的市場需求和趨勢。

2024-07-05 標簽：逆變器 GaN 瑞薩電子 1.4k 0

納芯微GaN HEMT驅動芯片NSD2017在激光雷達中的優(yōu)勢

自動駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向，而具備強感知能力的激光雷達則是L2+及以上級別自動駕駛不可或缺的硬件設備。納芯微的單通道高速柵極驅動芯片NSD...

2024-07-01 標簽：GaN 驅動芯片激光雷達 1.5k 0

GaN智能功率模塊(IPM)實現(xiàn)高效電機驅動

氮化鎵(GaN)在電力轉換應用中的優(yōu)勢為電源轉換器帶來了系統(tǒng)級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅動。在本文中，我們將...

2024-06-17 標簽：電機驅動 GaN 智能功率模塊 2.1k 0

#參考設計#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源

72 W隔離反激式電源，適用于采用InnoSwitch 4-QR（INN 4275 C-H186）高頻準諧振開關IC的電器，可實現(xiàn)最小Transform...

2024-06-11 標簽：電源 GaN 隔離反激式電源 8.5k 0

GaN/金剛石功率器件界面的熱管理

? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特擊穿電壓的演示長期以來一直激勵著電力電子和其他應用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...

2024-06-04 標簽：電子器件功率器件 GaN 1.1k 0

24W原邊GAN電源芯片方案U8607簡化電源BOM

24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。

2024-05-22 標簽：充電器適配器 GaN 1.8k 0

外置OTP及主動降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點有哪些

深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN帶OTP保護及主動降功率功能的PD快充芯片，與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...

2024-05-21 標簽：OTP GaN VDD 1.9k 0

什么是LiDAR？LiDAR技術的新時代前景廣闊未來可期

什么是LiDAR？ ? LiDAR 是Light Detection And Ranging（激光探測與測距）的縮寫，是使用近紅外光、可見光或紫外光照射...

2024-05-16 標簽：GaN Rohm 激光探測技術 1.7k 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。

2024-05-09 標簽：功率器件 GaN HEMT 1.7k 0

R24C2T25可簡化SiC的選擇和評估過程

毫無疑問，寬帶隙 (WBG) 技術已得到廣泛應用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費類及其他電源應用領域的首選器件。

2024-05-06 標簽：轉換器晶體管 GaN 817 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設備相比，它們具有更高的效率、功率...

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晶體管級異質集成技術及其實用案例分析

化合物半導體微波器件的典型特點是不同結型器件性能差異明顯，表1給出了幾種常用的化合物半導體微波器件與Si CMOS性能對比，另外化合物半導體還擁有GaA...

2024-04-24 標簽：集成電路二極管晶體管 2k 0

適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南

作者：Kenton Williston 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類...

2024-05-05 標簽：FET 激光二極管測量 1.3k 0

如何利用 GaN 功率器件實現(xiàn)出色的中等功率電機變頻器

作者：Bill Schweber 對更高效利用能源的推動、更嚴格的法規(guī)要求以及低溫運行的技術優(yōu)勢，所有這些都為近來降低電機功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

2024-05-05 標簽：變頻器電機驅動功率器件 1.1k 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉換性能優(yōu)勢，因為其無反向恢復...

2024-04-18 標簽：氮化鎵 GaN HEMT 2.9k 0

使用先進的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度

High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...

2024-04-18 標簽：PFC GaN 功率密度 2.7k 0

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在汽車、工業(yè)和逆變器應用中，對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領域，通過提高電機驅動效率和加快電池充電速度，此類優(yōu)化...

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二維材料異質外延GaN及其應用探索

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2024-03-28 標簽：功率器件石墨烯 GaN 1.6k 0

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