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英飛凌功率晶體管的短路耐受性測(cè)試

本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件...

2025-10-07 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 晶體管 2.7k 0

突破功率密度邊界：TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應(yīng)用

Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率...

2025-09-19 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaN 371 0

無需鉗位電路，精準(zhǔn)測(cè)量GaN動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Rds(on)

導(dǎo)言在追求更高效率、更高功率密度的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC）器件扮演著越來越關(guān)鍵的角色。然而，理解這些器件在高速開關(guān)過程中的真實(shí)性...

2025-09-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體示波器 GaN 660 0

基于LMG3422EVM-041半橋子卡的GaN功率模塊設(shè)計(jì)與應(yīng)用

Texas Instruments LMG3422EVM-041半橋子卡在半橋中配置兩個(gè)LMG3422R050 GaN FET。它具有鎖存過流保護(hù)功能和...

2025-09-11 標(biāo)簽：FET 半橋 GaN 382 0

ADI LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB布局優(yōu)化指南

近年來，氮化鎵(GaN)技術(shù)憑借其相較于傳統(tǒng)硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)，包括更低的寄生電容、無體二極管、出色的熱效率和緊湊的尺寸，極大地改變了半導(dǎo)體行業(yè)。Ga...

2025-09-05 標(biāo)簽：pcb 轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器 7.6k 0

GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子...

2025-09-02 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 GaN 4.1k 0

如何選擇高效工業(yè)電源？基于ST VIPERGAN100的2.7 V/100W反激電源了解一下！

在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，電源的性能和可靠性至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的STDES-VPGAN100FDEMO隔離式100W...

2025-09-01 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體 GaN 工業(yè)電源 4.6k 0

微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件發(fā)展中的作用

微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多...

2025-08-27 標(biāo)簽：光電器件 GaN 半導(dǎo)體器件 436 0

Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC技術(shù)解析

Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC是一款650V GaN電源FET半橋，適用于開關(guān)電源應(yīng)用中 < 75w的有源鉗位...

2025-08-27 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 FET 半橋 440 0

德州儀器新型單級(jí)轉(zhuǎn)換器助力微型逆變器和便攜式電源設(shè)計(jì)

微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長(zhǎng)，部分原因是人們對(duì)更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺(tái)型逆變器（該產(chǎn)品將微型逆變器與小...

2025-08-21 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器逆變器 FET 3.3k 0

產(chǎn)品拆解 | 綠聯(lián) 65W GaN 三口快充充電頭

從GaN快充到多協(xié)議功率管理，綠聯(lián)如何在小體積中實(shí)現(xiàn)65W輸出？從反激初級(jí)到同步整流，從協(xié)議主控到功率分配，其電路設(shè)計(jì)體現(xiàn)了怎樣的多口快充兼容性與動(dòng)態(tài)功...

2025-08-19 標(biāo)簽：適配器電源適配器 GaN 2.7k 0

三種功率器件的區(qū)別解析

600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS)，SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間，其典型應(yīng)用為高頻高效高功率...

2025-08-16 標(biāo)簽：封裝功率器件 SiC 3k 0

基于安森美iGaN的300W高能效游戲適配器解決方案

在科技演進(jìn)浪潮中，能源技術(shù)已逐漸成為現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。從移動(dòng)設(shè)備到云服務(wù)器，從電動(dòng)車到智慧城市，科技產(chǎn)品日益強(qiáng)調(diào)效能、速度與可持續(xù)能源的平衡，而...

2025-08-15 標(biāo)簽：安森美 ldo 適配器 1.9k 0

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）丨助力 LED 緩沖層性能優(yōu)化

在現(xiàn)代生活中，氮化鎵（GaN）基LED應(yīng)用廣泛，其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響。科研人員通過HVPE與MOCVD結(jié)合技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底上制備了不同緩沖...

2025-08-11 標(biāo)簽：led 氮化鎵 GaN 3.9k 0

LMG3612 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成驅(qū)動(dòng)...

2025-08-13 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器單通道 FET 573 0

LMG3616 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 ...

2025-08-13 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 FET 集成式 566 0

GaN HEMT開關(guān)過程中振蕩機(jī)制與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)考量

增強(qiáng)型GaN HEMT具有開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、功率密度高等特點(diǎn)，正廣泛應(yīng)用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換和射頻電路中。但由于其柵極電容小，柵極閾值電壓低（...

2025-08-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 GaN HEMT 2.3k 0

LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) S...

2025-08-06 標(biāo)簽：emi 電感零電壓 693 0

LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) ...

2025-08-06 標(biāo)簽：emi 電感 GaN 675 0

TPS7H6101-SEP 耐輻射 200V 10A GaN 功率級(jí)，集成驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋，集成柵極驅(qū)動(dòng)器;e模式氮化鎵FET和柵極驅(qū)動(dòng)器的集成簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少...

2025-08-06 標(biāo)簽：FET GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 738 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
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三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來無線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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ZigBee3.0

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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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