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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù),2022年6月新能源車國內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對外宣布,歐...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子裝置中的核心器件,其性能的穩(wěn)定性和可靠性對...
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主要動態(tài)參數(shù),如延時、上升、下降時間、開關(guān)損耗等; 2...
下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術(shù)
今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 之前梵易Ryan對模塊分層的現(xiàn)象進(jìn)行了三期的分享,有興趣的朋...
IGBT在電力電子中的關(guān)鍵作用在當(dāng)今的電力電子技術(shù)中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能,在變頻器、電動汽車、...
2024-12-26 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換IGBT光耦 992 0
IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。由于其節(jié)能、安裝維護(hù)方便、散熱...
電磁爐作為利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象來工作的烹飪廚具,無需明火加熱,因此高效又節(jié)能。目前,其發(fā)展趨勢以及市場前景十分樂觀,但想要在競爭激烈的市場中占有更大的份額,...
2024-12-12 標(biāo)簽:mcu轉(zhuǎn)換器東芝 1.7k 0
各種拓?fù)鋵GBT驅(qū)動器的要求各不相同,比如: 兩電平拓?fù)渫ǔR蠖搪繁Wo(hù)和過壓保護(hù)即可。常用的短路保護(hù)方法又叫VCEsat或退保護(hù)監(jiān)控;過壓保護(hù)一般采...
所謂分立器件,顧名思義就是由單個電子器件組成的電路元器件,它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品,作用包括整流、開關(guān)、小信號放...
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝介紹
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝是一個專業(yè)性很強(qiáng)的領(lǐng)域,涉及到材料的選擇、配比、混合、脫泡、灌封、固化等多個步驟。
全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型,尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV),都在轉(zhuǎn)向電動驅(qū)動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯...
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了...
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