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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

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如何計算IGBT模塊的死區(qū)時間

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浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

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2024-11-06 標簽：IGBT MOS 功率器件 809 0

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2024-11-05 標簽：IGBT 驅(qū)動電路 SiC 916 0

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2024-10-31 標簽：電力 IGBT 單管 836 0

IGB基本知識匯總

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IGBT模塊的驅(qū)動電路設計

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2024-10-15 標簽：IGBT PN結(jié)快恢復二極管 5.7k 0

特瑞諾TGHP75N120FDR：高性能IGBT單管的理想選擇

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2024-10-08 標簽：芯片封裝 IGBT 1.2k 0

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