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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí),漂移層會(huì)變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。
SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)
在設(shè)計(jì)SiC(碳化硅)驅(qū)動(dòng)電源時(shí),需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn):
2024-03-18 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 3.2k 0
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
IGBT的開關(guān)速度指的是從導(dǎo)通到截止(或反之)所需的時(shí)間??焖俚拈_關(guān)速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過快的開關(guān)速度可能會(huì)增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降,導(dǎo)...
探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關(guān)特性的測(cè)試電路,評(píng)估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 2k 0
公共阻抗耦合: 當(dāng)兩個(gè)電路的地電流流過一個(gè)公共阻抗時(shí) ,就會(huì)發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號(hào)回流線 ,一個(gè)電路的工作 狀態(tài)必然會(huì)影響地線電壓 , 當(dāng)兩...
2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFET電磁兼容開關(guān)電源 2.3k 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心,IGBT結(jié)合了MOSFET...
IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率電子器件,廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGB...
選擇IGBT的基本原則涉及以下幾個(gè)方面: 電壓等級(jí):選擇合適的IGBT要考慮其能夠承受的電壓等級(jí)。通常情況下,IGBT的額定電壓等級(jí)應(yīng)大于實(shí)際電路中的最...
簡(jiǎn)述igbt對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求有哪些
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件,用于在高電壓、高電流的情況下控...
2024-03-12 標(biāo)簽:電流IGBT驅(qū)動(dòng)電路 2.4k 0
柵極環(huán)路電感對(duì)IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響簡(jiǎn)析
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電磁兼容IGBT 1.7k 0
T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
雙脈沖測(cè)試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào),以模擬實(shí)際工作中的開關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測(cè)試需求。
2024-03-11 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)IGBT功率器件 4.8k 0
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