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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是Si...
上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹
在工業(yè)自動化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天,對功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體...
一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊
前言功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分,在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關(guān)“被廣...
2025-09-10 標(biāo)簽:IGBT電控系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 1.9k 0
散熱底板對 IGBT 模塊功率循環(huán)老化壽命的影響
摘要:功率半導(dǎo)體模塊通常采用減小結(jié)殼熱阻的方式來降低工作結(jié)溫,集成Pin-Fin基板代替平板基板是一種有效選擇。兩種封裝結(jié)構(gòu)的熱阻抗特性不同,可能對其失...
2025-09-09 標(biāo)簽:IGBT散熱功率半導(dǎo)體 1.7k 0
?TPS65560 集成式閃光燈充電器和IGBT驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
該器件提供了一個完整的解決方案,用于通過電池輸入為閃光燈電容器充電,然后將電容器放電到氙氣閃光燈管。該器件具有集成基準(zhǔn)電壓源、電源開關(guān)、IGBT 驅(qū)動器...
浮思特 | TRINNO IGBT在電焊機中的應(yīng)用方案
特瑞諾(TRINNO)作為領(lǐng)先的IGBT技術(shù)提供商,憑借其創(chuàng)新的半導(dǎo)體產(chǎn)品,助力焊接行業(yè)提升生產(chǎn)效率與焊接質(zhì)量。作為TRINNO的合作代理商,浮思特科技...
不同封裝形式的IGBT模塊在熱性能上的差異主要體現(xiàn)在散熱路徑設(shè)計、材料導(dǎo)熱性、熱阻分布及溫度均勻性等方面。以下結(jié)合技術(shù)原理和應(yīng)用場景進行系統(tǒng)分析。
?TPS65563A 集成式閃光燈充電器和IGBT驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
該TPS65563A為充電光電閃光燈電容器和帶有絕緣柵雙極傳輸 (IGBT) 驅(qū)動器的閃光氙管提供了完整的解決方案。該器件具有集成基準(zhǔn)電壓源、電源開關(guān) ...
高性能隔離式DC/DC電源模塊UCC14240-Q1技術(shù)解析
Texas Instruments UCC14240-Q1穩(wěn)壓汽車直流-直流模塊是一款高隔離電壓 (3kV ~RMS~ ) 直流/直流模塊,設(shè)計用于為I...
薄膜電容器助力SiC和IGBT技術(shù)高速推進:永銘電容應(yīng)用方案
近年來,光儲充和電動汽車(EV)等新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,導(dǎo)致了直流支撐(DC-Link)電容需求的急劇增長。簡而言之,DC-Link電容在電路中扮演著至...
PicoScope示波器在IGBT動態(tài)性能測試中的應(yīng)用
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是功率半導(dǎo)體的一種,它可以被簡化的看作為一個能夠快速切換的開關(guān),可以被用來通過低壓脈沖來控制高壓信號的通斷。IGBT具有三個...
今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)解析
Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器設(shè)計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC2175...
浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!
在做電力電子設(shè)計的朋友,經(jīng)常會遇到一個選擇題:IGBT和MOSFET,到底該用哪個?這兩個器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手,常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動...
2025-08-26 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.7k 0
短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細的解釋和分類了,但就具體工作中而言,我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的,失效的模式主要為...
浮思特 | 光伏逆變器中的IGBT解決方案 —— Trinno(特瑞諾)產(chǎn)品應(yīng)用
在“雙碳”目標(biāo)和能源轉(zhuǎn)型的推動下,光伏發(fā)電已成為綠色能源發(fā)展的重要支柱。作為光伏系統(tǒng)的核心設(shè)備,光伏逆變器不僅負責(zé)將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為符合電...
如何平衡IGBT模塊的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
IGBT模塊的開關(guān)損耗(動態(tài)損耗)與導(dǎo)通損耗(靜態(tài)損耗)的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系:降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載...
2025-08-19 標(biāo)簽:IGBT開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 1.8k 0
德州儀器UCC14241-Q1汽車級隔離式DC/DC模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC14241-Q1汽車隔離式DC/DC模塊專為向IGBT或SiC柵極驅(qū)動器供電而設(shè)計。UCC14241-Q1將變...
德州儀器UCC21717-Q1隔離式柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC21717-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動高達1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高級集...
浮思特 | IGBT與單片機在家電微波爐中的應(yīng)用與解決方案
微波爐已經(jīng)從傳統(tǒng)的機械控制發(fā)展到智能化、高效化的電子控制系統(tǒng)。要實現(xiàn)加熱效率高、能耗低、壽命長且安全性高的設(shè)計,核心元器件的選擇至關(guān)重要。本文將介紹TR...
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