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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器:電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè),隨著對(duì)功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(...
2025-08-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電子系統(tǒng)IGBT 1.6k 0
上海貝嶺650V80A IGBT在光伏逆變器上的應(yīng)用
當(dāng)今世界的主要能源來源還是化石能源,而化石能源在使用后會(huì)排出大量的污染物,嚴(yán)重影響到人類的健康問題。太陽能因其取之不盡用之不竭且無環(huán)境污染等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成...
Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析
Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是一款高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT功率開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)器在12V...
IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用實(shí)踐筆記 v3.0
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識(shí)星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v3.0版本-「SysPro|動(dòng)力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容,全文155...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開關(guān)損耗的同時(shí),還要同時(shí)具備一定的抗短路能力。短路時(shí),如...
2025-08-07 標(biāo)簽:IGBT晶體管開關(guān)損耗 3k 0
Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動(dòng)器是一款高度可配置的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可調(diào)壓擺率,用于在電動(dòng)汽車和...
IGBT模塊GE間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。
2025-07-31 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電壓柵極電壓 3.3k 0
2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線。 2153X浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N溝道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作電壓可達(dá)600...
2025-07-28 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)芯片 1.6k 0
三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(2)
三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開發(fā)了集...
浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機(jī)制與防護(hù)
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其長期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運(yùn)行安全。在諸多應(yīng)力因素中,高柵極電壓(Vge)與工作...
2025-07-15 標(biāo)簽:電壓IGBT開關(guān)器件 2.1k 0
受拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開關(guān)損耗的影響,半橋硬開關(guān)電路的重量、體積、噪聲及功率等級(jí)等技術(shù)指標(biāo)在一定程度上受到限制,因此中大功率開關(guān)電源的主電路基本都采用全橋電路結(jié)構(gòu)。
飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL產(chǎn)品介紹
國產(chǎn)IGBT單管新品,采用飛虹半導(dǎo)體第七代場截止(Trench Field Stop VII )技術(shù)工藝設(shè)計(jì),能達(dá)到顯著降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。使產(chǎn)品具...
MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這...
IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動(dòng)。開關(guān)動(dòng)作時(shí),上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中,要開通上橋臂IGBT時(shí)...
2025-07-03 標(biāo)簽:二極管IGBT驅(qū)動(dòng)電路 4.3k 0
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案
電子設(shè)備正逐漸融入越來越多的產(chǎn)品中。無論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電力開關(guān) 2.3k 0
自“雙碳”目標(biāo)確定以來,我國能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進(jìn),光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能等新能源行業(yè)也迎來了井噴式發(fā)展。下圖是一個(gè)光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖,其中逆變器作為光伏發(fā)電系...
為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,M...
浮思特 | 揭開(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析
在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前,最受歡迎和常用的功率電子開關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電...
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