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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

太陽能逆變器怎么選IGBT?

太陽能逆變器怎么選IGBT?

中國已是IGBT全球最大的市場(chǎng),其需求的增長主要是新能源的增長帶來的,其中新能源汽車、光伏等需求更是核心的增長。由于需求的增長,IGBT單管常常是處于供...

2023-11-07 標(biāo)簽:MOS管IGBT太陽能逆變器 1.7k 0

雙模塊如何實(shí)現(xiàn)盡可能高的功率密度

雙模塊如何實(shí)現(xiàn)盡可能高的功率密度

氣候變化、人口結(jié)構(gòu)變化和城市化等大趨勢(shì)正在改變世界。這些推動(dòng)了能源效率、綠色能源和電氣化等行業(yè)趨勢(shì),這些關(guān)鍵主題提出了新的要求和挑戰(zhàn)。工程師的目標(biāo)是在下...

2023-10-24 標(biāo)簽:模塊逆變器IGBT 1.7k 0

如何進(jìn)行準(zhǔn)確的IGBT模塊壽命評(píng)估呢?

如何進(jìn)行準(zhǔn)確的IGBT模塊壽命評(píng)估呢?

IGBT廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中,其可靠性一直都是制造商和用戶重點(diǎn)關(guān)注的問題。

2023-06-08 標(biāo)簽:二極管IGBT電力電子 1.7k 0

浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!

浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!

在做電力電子設(shè)計(jì)的朋友,經(jīng)常會(huì)遇到一個(gè)選擇題:IGBT和MOSFET,到底該用哪個(gè)?這兩個(gè)器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手,常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動(dòng)...

2025-08-26 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.7k 0

igbt模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱方式

igbt模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱方式

間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-...

2023-07-21 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 1.7k 0

為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?

為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?

功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、光伏、風(fēng)能和...

2024-06-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 1.7k 0

請(qǐng)問一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的?

請(qǐng)問一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的?

絕緣柵雙極晶體管(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導(dǎo)體器件的一種,主要用于新能源電動(dòng)汽車、及...

2023-08-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.7k 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFET電阻器IGBT 1.7k 0

驅(qū)動(dòng)電機(jī)絕緣高頻高壓下的耐久性評(píng)價(jià)總結(jié)

驅(qū)動(dòng)電機(jī)絕緣高頻高壓下的耐久性評(píng)價(jià)總結(jié)

SiC功率器件在耐壓、開關(guān)頻率、損耗等多維度的性能優(yōu)于硅基IGBT功率器件。

2023-06-21 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率器件 1.7k 0

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

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SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...

2023-04-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT等效電路 1.7k 0

電源設(shè)計(jì)中有哪些困難

我們都知道,電源設(shè)計(jì)開發(fā)當(dāng)然算是個(gè)技術(shù)活兒,也是累活兒,工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計(jì)工程師根據(jù)任務(wù)書選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)符合功能的原型版,電源設(shè)...

2020-10-06 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)IGBTEMC 1.7k 0

陶瓷覆銅板在光伏發(fā)電系統(tǒng)的重要作用

光伏逆變器是連接太陽能光伏電池板和電網(wǎng)之間的電力電子設(shè)備,主要功能是將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電通過功率模塊轉(zhuǎn)換成可以并網(wǎng)的交流電,是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的...

2022-08-26 標(biāo)簽:太陽能電池板IGBT光伏發(fā)電 1.7k 0

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而,越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計(jì)的角度來看,單個(gè)MOSFET不太可能被靜電放電(ESD)損壞。然而...

2022-07-30 標(biāo)簽:ESDMOSFETIGBT 1.7k 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)

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上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。

2023-11-30 標(biāo)簽:IGBTMOS載流子 1.7k 0

安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓

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依托于光刻機(jī)的光罩(Litho)工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝,光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)代溝槽-場(chǎng)截止型IGB...

2023-09-21 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 1.7k 0

IGBT頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn) 中國有哪些優(yōu)秀的IGBT廠商

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隨著新能源的爆火,IGBT缺貨成了近年來的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù),目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國際大廠的訂單整體處于相對(duì)飽滿的狀態(tài)...

2023-12-14 標(biāo)簽:英飛凌新能源汽車二極管 1.7k 0

如何選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT單管協(xié)助Heric后極逆變電路的優(yōu)化呢?

如何選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT單管協(xié)助Heric后極逆變電路的優(yōu)化呢?

單相組串式逆變器里面會(huì)有Heric后極逆變是需要使用IGBT單管的,目前我們看到單相組串式逆變器正朝采用多層次拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的逆變器發(fā)展方向。

2023-05-06 標(biāo)簽:逆變器IGBT快恢復(fù)二極管 1.7k 0

IGBT模塊失效機(jī)理的兩大類分析

變壓器結(jié)電容相對(duì)于電壓變化率過大,導(dǎo)致的耦合電流干擾問題。這個(gè)問題導(dǎo)致的后果是,輸出邏輯錯(cuò)誤,控制電路被干擾,電路失效等。

2023-12-22 標(biāo)簽:變壓器智能電網(wǎng)IGBT 1.7k 0

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)停ā?00 W),并...

2013-04-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器:電力電子系統(tǒng)的核心組件

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器:電力電子系統(tǒng)的核心組件

在電力電子行業(yè),隨著對(duì)功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(...

2025-08-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電子系統(tǒng)IGBT 1.7k 0

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    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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