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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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今年以來,國外某些國家仍然在拉動其盟友在對中國的半導(dǎo)體領(lǐng)域進行打擊,意味著國產(chǎn)化半導(dǎo)體的進程將進一步加速。如今在國內(nèi),是否有純國產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...
低電感ANPC拓撲結(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求
低電感ANPC拓撲結(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求
UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27524 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。該 UCC27524 增加了直接在輸...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.3k 0
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。
利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率,增強IGBT模塊功率密度
第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級,以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技...
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處,但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說,在更高電壓下的...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(3)
至此,我們完整地分析了關(guān)斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲變化,而電荷對時間的變化率即對應(yīng)電流。
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用
逆變器在不僅在家庭、工業(yè)、交通的領(lǐng)域進行應(yīng)用,而且還在太陽能、風(fēng)能、電池等新能源領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣泛。逆變器的廣泛應(yīng)用意味著IGBT作為其核心元器件,也會...
浮思特 | 光伏逆變器中的IGBT解決方案 —— Trinno(特瑞諾)產(chǎn)品應(yīng)用
在“雙碳”目標(biāo)和能源轉(zhuǎn)型的推動下,光伏發(fā)電已成為綠色能源發(fā)展的重要支柱。作為光伏系統(tǒng)的核心設(shè)備,光伏逆變器不僅負責(zé)將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為符合電...
UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動器技術(shù)手冊
UCC5714x 是一款單通道、高性能、低側(cè)柵極驅(qū)動器,能夠有效驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC5714x 的典型峰值驅(qū)動強度...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.3k 0
一、前言 對新能源汽車而言,電池技術(shù)、電機技術(shù)、電機控制器技術(shù)被稱為新能源汽車關(guān)鍵三電技術(shù)。在當(dāng)前電池技術(shù)未能取得突破的前提下,提高電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率、...
英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統(tǒng)性能(上)
本文介紹了針對電機驅(qū)動進行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可...
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