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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT動態(tài)雪崩產(chǎn)生機制_IGBT動態(tài)雪崩的抑制方法
在動態(tài)關(guān)斷過程中,器件內(nèi)部所發(fā)生的由電流控制的受自由載流子濃度影響的碰撞電離現(xiàn)象。
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 1.7萬 0
功率晶體管的電壓/電流都選得足夠大,除了注意自己的人身安全,一般不用擔(dān)心功率晶體管會損壞。但是在實際產(chǎn)品實驗中,功率晶體管技術(shù)規(guī)格的裕量不可能選得這么大...
IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和電力晶體管(GTR)相結(jié)合的產(chǎn)物。
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 5.5萬 0
在IGBT的應(yīng)用中,當(dāng)外部負載發(fā)生故障,或者柵極驅(qū)動信號出現(xiàn)異常,或者某個IGBT或二極管突然失效,均可能引起IGBT短路,表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及...
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 3.0萬 0
Infineon公司是出界上著名的半導(dǎo)體生產(chǎn)商,其生產(chǎn)的“EUPEC”IGHT在世界范圍內(nèi)占有很大部分份額。其配套生產(chǎn)的EiceDriver系列IGBT...
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 2.0萬 0
IGBT的驅(qū)動電路必須具備兩種功能:一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT柵極的電位隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓...
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 1.7萬 0
多階段驅(qū)動方法就是將IGBT開通關(guān)斷過程分段控制,對不同的階段采取不同的控制方法,這樣就可以盡量減小因為控制而造成的開關(guān)延時和開關(guān)損耗,從而在實現(xiàn)相同控...
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 8k 0
和改電阻法不同的是,改電壓法是在控制階段改變驅(qū)動電壓來控制電壓電流過沖。改驅(qū)動電壓的方法大概有兩種,一種是通過電阻分壓實現(xiàn)改驅(qū)動電壓,另外一種是在控制芯...
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 1.3萬 0
瞬態(tài)過電流IGBT在運行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外,還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種...
IGBT失效場合:來自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機感應(yīng)電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。...
變頻器的風(fēng)扇不轉(zhuǎn)了到底會不會影響變頻器?
會嚴重影響變頻器的正常工作。變頻器內(nèi)部的核心器件都是(IGBT)電力半導(dǎo)體開關(guān)元器件,正常工作時,它們都會產(chǎn)生大量熱能,如果沒有風(fēng)扇強制散熱,它的感溫頭...
IGBT的柵極電壓影響著集電極輸出電流IC的大小,電路中如果用閾值電壓VGE(th)不同的IGBT組成并聯(lián)電路,即使柵極電壓相同,流過各支路的電流也會有...
2019-08-21 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 7.2k 0
ADuM4135柵極驅(qū)動器與APTGT75A120 IGBT的結(jié)合使用
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。
SCR的開關(guān)時間較長,所以頻率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的開關(guān)頻率較高。IGBT模塊可達30KHZ左右,IGBT單管開關(guān)頻率更高,達50...
變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟...
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